Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"D. Bunel"'
Autor:
D. Reber, V.H. Nguyen, E. Mastromatteo, D. Bunel, J. Van Hassel, C. Monget, T. Berger, R. Gonella, C. Verove, C. Cregut, Robert Fox, O. Belmont, E. Sabouret, Alexis Farcy, J.P. Jacquemin, Emmanuel Josse, P. Vannier, J. Mueller, O. Hinsinger, Aurelie Humbert, W. F. A. Besling, Phillip Christie, C. Goldberg, B.G. Sharma, P. Brun
Publikováno v:
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004..
Given the much discussed challenges of interconnect scaling at the 65-nm node, the choice of process architecture is a key determinant of performance and extendibility. An alternate trench-first with hardmask integration is described in this work, in
Autor:
A.E. Zitzelsberger, A. von Glasow, C. Robin, H.-P. Sperlich, Franz Ungar, P. Raffin, Armin Fischer, Jakob Kriz, Martina Hommel, D. Bunel, O. Heitzsch, G. Friese, A. Hausmann, Sabine Penka
Publikováno v:
2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual..
The influence of the SiN cap-layer deposition process including different pre-clean treatments on the electromigration (EM) and stressvoiding (SV) behavior of copper dual damascene metallizations has been studied. A remarkable trade-off between the E
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.