Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: A comprehensive study based on a sequential growth experiment

Autor: Gaudenzio Meneghesso, D. Benazzi, E. Canato, Enrico Zanoni, Joff Derluyn, Idriss Abid, Roland Püsche, Farid Medjdoub, Matteo Meneghini, Matteo Borga

Publikováno v: Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, 2019, 100-101, pp.113461. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113461⟩
2019 ESREF proceeding
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Sep 2019, Toulouse, France
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2019, 100-101, pp.113461. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113461⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2019, pp.113461. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113461⟩

International audience; The aim of this work is to investigate the breakdown mechanisms of the layers constituting the vertical buffer of GaN-on-Si HEMTs; in addition, for the first time we demonstrate that the breakdown field of the AlN nucleation l

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6dc525e4bc75a6dcaf8266c9775456ae
https://hal.science/hal-02356751/file/1-s2.0-S0026271419305189-main.pdf

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.