Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"D. Beckmeier"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andreas Martin, D. Beckmeier
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. :152-158
Many wafer manufacturing processes use plasma or other charge-based effects. The resulting currents can damage or destroy MOS gate oxides of transistors in products. This plasma induced damage (PID) can be in form of a reduction of the required lifet
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::22acacf8cd7ef7d0cc20fef150311513
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.118
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.118
Autor:
Andreas Martin, D. Beckmeier
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 64:189-193
Plasma process induced damage (PID) poses a device lifetime risk to all semiconductor products containing MOS gate dielectrics. This risk increases for smaller technology nodes. In this work we will present how to protect automotive products from PID
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::955a5c0ff7360717416285306f07b801
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.129
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.129
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 64:2-12
This work describes and discusses fast wafer level reliability (fWLR) Monitoring as a supporting procedure on productive wafers to achieve stringent quality requirements of automotive, medical and/or aviation applications. Examples are given for the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9e52a44af43586dadc6fa7b1fedaea6b
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.120
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.120
Autor:
D. Beckmeier, T. Sulima, Tomasz Jewula, Walter Hansch, R. Nüssl, Werner Ruile, C. Senft, Ignaz Eisele
Publikováno v:
Thin Solid Films. 519:8154-8160
Ultra thin titanium films in the range of a few nanometers have been deposited on monocrystalline lithiumtantalate (LiTaO3) followed by deposition of 400 nm pure aluminum (Al). Texture measurements by means of electron backscatter diffraction show th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b8ca7b90203cd9bf1d6d4da16b0439e1
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.235
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.235
Autor:
Ignaz Eisele, Charles Binninger, Werner Ruile, Walter Hansch, R. Drozd, R. Nüssl, D. Beckmeier, Tomasz Jewula, T. Sulima
Publikováno v:
Materials Characterization. 61:1054-1060
To explore mechanical stress durability of thin aluminum–scandium (AlSc) films, 0.86 GHz nano resonators with AlSc electrodes have been manufactured. Four different samples have been prepared altering the Sc content in the alloy between 0.0% and 2.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4846e78e6ca34a546bf053489940bbdf
https://doi.org/10.1016/j.matchar.2010.06.018
https://doi.org/10.1016/j.matchar.2010.06.018
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.