Zobrazeno 1 - 10
of 164
pro vyhledávání: '"D. Basting"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Kleinschmidt, K. Vogler, D. Basting, F. Voβ, Uwe Stamm, I. Tassy, S. Govorkov, R. Pätzel, R. Osmanov, T Schroeder, I. Bragin
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 53:149-152
According to the SIA roadmap, semiconductor chip geometries will reach feature sizes of 100 nm in the year 2002. In this process the exposure wavelength for the optical lithography is proposed to be 193 nm and ultimately 157 nm, as emitted by the ArF
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44b10105918c66ed41349db3f26ddf54
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00284-7
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00284-7
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 27:221-224
Excimer laser steppers are used since 1988 and performance has improved significantly over the years. To meet the demands on output power and spectral purity of advanced deep ultraviolet (DUV) optical lithography tools, a new laser cavity and line na
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::825b99ab96fc83650dd31c58fa62fa6a
https://doi.org/10.1016/0167-9317(94)00093-a
https://doi.org/10.1016/0167-9317(94)00093-a
Autor:
U. Rebhan, D. Basting
Publikováno v:
Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie. 97:1504-1511
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4c7bc9f4ef9f805fb8f780e9cdf8e95b
https://doi.org/10.1002/bbpc.19930971203
https://doi.org/10.1002/bbpc.19930971203
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 69:S305-S307
The use of F2 excimer laser sources, emitting at 157 nm, constitutes a new promising tool for scientific, industrial and lithography applications. The 157-nm laser emission enables high-resolution processes and the high photon energy offers the uniqu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ac3c0eb4ffe862f5082b3cae2f6e856
https://doi.org/10.1007/s003390051405
https://doi.org/10.1007/s003390051405
Publikováno v:
CLEO '97., Summaries of Papers Presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics.
Until now, UV generation below 300 nm has been reported for diode-pumped lasers yielding pulses with energies in the μJ to 100 μJ range.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4351481025bca56a12a553604903f41a
https://doi.org/10.1109/cleo.1997.603473
https://doi.org/10.1109/cleo.1997.603473
Publikováno v:
Technical Digest CLEO/Pacific Rim '97 Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e3fdb45a5aa6f881d4cd971400ea00a8
https://doi.org/10.1109/cleopr.1997.610618
https://doi.org/10.1109/cleopr.1997.610618
Autor:
D. Basting, G. Marowsky
Publikováno v:
Excimer Laser Technology ISBN: 3540200568
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c54197b412cb1fa6d4382e79ef163c3
https://doi.org/10.1007/3-540-26667-4_1
https://doi.org/10.1007/3-540-26667-4_1
Publikováno v:
Excimer Laser Technology ISBN: 3540200568
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70c89ff79fd1cba5a25034b80023896f
https://doi.org/10.1007/3-540-26667-4_2
https://doi.org/10.1007/3-540-26667-4_2