Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"D. Ashkenas"'
Autor:
Paul G. Carey, Somit Talwar, Karl-Josef Kramer, Emi Ishida, Thomas W. Sigmon, Kurt H. Weiner, D. Ashkenas
Publikováno v:
Applied Physics A Solids and Surfaces. 57:91-95
A two-step pulsed UV-laser process which independently controls the metallurgical and electrical junction depth of a Si1−x Ge x /Si heterojunction diode has been implemented. Pulsed Laser-Induced Epitaxy (PLIE) combined with Gas-immersion Laser Dop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbf8089d6e891152c7d56b2e383f242f
https://doi.org/10.1007/bf00331223
https://doi.org/10.1007/bf00331223
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.