Zobrazeno 1 - 10
of 6 743
pro vyhledávání: '"D. A. Gates"'
Quantum circuits with symmetry-respecting gates have attracted broad interest in quantum information science. While recent work has developed a theory for circuits with Abelian symmetries, revealing important distinctions between Abelian and non-Abel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.21249
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
PLoS ONE. 5/24/2023, Vol. 17 Issue 5, p1-14. 14p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Amin Vanak, Reza Sabbaghi-Nadooshan
Publikováno v:
Journal of Nano Research. 33:126-136
In this paper, low power and high speed D-latch and nand gates (as sample of combinational and sequential circuits) are designed based on cnfet and cmos technology. The performance of D-latch and nand is compared in two technologies of 65nm and 90nm
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
von Willert, D.
Publikováno v:
Vegetatio, 1983 Jul . 53(1), 10-10.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/20145947
Autor:
Prentice, Colin
Publikováno v:
Écoscience, 1994 Jan 01. 1(2), 192-193.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/42900964
Autor:
Jean-Pierre Mothet, Millan Mark, Stéphane H. R. Oliet, J M Rivet, Ting Shi, Jonathan V. Sweedler, Jérôme Dulong, Loredano Pollegioni, Fabrice R. Turpin, Silvia Sacchi, Pascal Fossat
Publikováno v:
Cerebral cortex (New York, N.Y. : 1991). 22(3)
N-methyl-D-aspartate receptors (NMDARs) subserve numerous neurophysiological and neuropathological processes in the cerebral cortex. Their activation requires the binding of glutamate and also of a coagonist. Whereas glycine and D-serine (D-ser) are
Autor:
Hikaru Hida, K. Shibahara, Y. Ogawa, M. Kohno, H. Toyoshima, Y. Tsukada, T. Nozaki, Masahiro Fujii
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
Novel concepts for enhancement (E) and depletion (D) -mode FET formation using an i-AlGaAs/n-GaAs doped-channel hetero-MISFET (DMT) and a novel self-aligned gate process technology for submicron-gate DMT LSIs based on E/D logic gates are described. T