Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"D., JAHAN"'
Autor:
D., JAHAN1 dr.dilshad.bd@gmail.com, M. M., ISLAM2, M. Z., HOSSAIN3, M. A., SALSABIL4, I., ISLAM5, A. K. M. Z., HUQUE6, M. E., KARIM7, MAZUMDER8, M. A., KHAN9
Publikováno v:
Journal of Dhaka Medical College. 2018, Vol. 27 Issue 2, p175-181. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bangladesh Journal of Dental Research & Education. 4:21-25
DOI: http://dx.doi.org/10.3329/bjdre.v4i1.18012 Bangladesh Journal of Dental Research & Education Vol.4(1) 2014: 21-25
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc7e6f2c2f261b4ca23a67fd1cd96084
https://doi.org/10.3329/bjdre.v4i1.18012
https://doi.org/10.3329/bjdre.v4i1.18012
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Asian Journal of Plant Sciences. 7:500-504
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6c9a703bdf24930bc876a2a2e6aefda
https://doi.org/10.3923/ajps.2008.500.504
https://doi.org/10.3923/ajps.2008.500.504
Further insight into the growth temperature influence of 1.3 μm GaInNAs/GaAs QWs on their properties
Publikováno v:
IEE Proceedings - Optoelectronics. 151:279-283
The authors further investigate the influence of growth temperature (Tg) on GaInNAs QWs grown on GaAs. 7 nm-thick GaInNAs QWs were grown with Tg in the range 400–470 °C. As a first result, transmission electron microscopy clearly showed that flat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4df5773b591e603973cf938c86ac5bd4
https://doi.org/10.1049/ip-opt:20040888
https://doi.org/10.1049/ip-opt:20040888
Autor:
A. Martinez, Jean Landreau, J.C. Harmand, Laurence Ferlazzo, J.-G. Provost, A. Ramdane, Vincent Sallet, D. Jahan, O. Le Gouezigou, Beatrice Dagens
Publikováno v:
IEE Proceedings - Optoelectronics. 151:429-432
Static performances and high-frequency characterisation of a GaInNAs/GaAs laser diode emitting at 1.35 μm are reported. Optimised molecular beam epitaxial (MBE) growth has allowed the achievement of a triple quantum well stack for improved dynamic p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb0dfd6e403639b95e3ff655d1c97f9c
https://doi.org/10.1049/ip-opt:20040878
https://doi.org/10.1049/ip-opt:20040878
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 225:9-15
Temporally resolved selective area growth of InP on patterned substrates with openings off-oriented from [110] direction was studied by low pressure hydride vapour phase epitaxy system. Lateral ove ...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f57ff2b4b36821319b51910ba7deb8d
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00970-8
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00970-8
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 188:176-182
The embedded regrowth of semiconductor device structures by CBE on InP substrates presents typical profile issues. To understand these growth patterns, we have developed a model, taking the beam geometrical aspect into consideration. The precursor fl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d360a7d6ae1845ca59e2ad51f85e5da8
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00093-1
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00093-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.