Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"D van Treeck"'
Autor:
Oliver Brandt, Sergio Fernández-Garrido, Vladimir M. Kaganer, D. van Treeck, C. Sinito, Pierre Corfdir, Gabriele Calabrese, Oleg Konovalov, Lutz Geelhaar
Publikováno v:
Acta Materialia. 195:87-97
We investigate the strain state of ensembles of thin and nearly coalescence-free self-assembled GaN nanowires prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy on Ti/Al2O3(0001) substrates. The shifts of Bragg peaks in high-resolution X-ray diffract
Publikováno v:
Physical Review Materials. 4
In a combined experimental and theoretical study, we investigate the influence of the material source arrangement in a molecular beam epitaxy system on the growth of nanowire (NW) core-shell structures. In particular, we study the shell growth of GaN
Autor:
G, Calabrese, G, Gao, D, van Treeck, P, Corfdir, C, Sinito, T, Auzelle, A, Trampert, L, Geelhaar, O, Brandt, S, Fernández-Garrido
Publikováno v:
Nanotechnology. 30(11)
We investigate the occurrence of interfacial reactions during the self-assembled formation of GaN nanowires on Ti/Al
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Guanhui Gao, Lutz Geelhaar, Oliver Brandt, Pierre Corfdir, Sergio Fernández-Garrido, T. Auzelle, C. Sinito, D. van Treeck, Gabriele Calabrese, Achim Trampert
Publikováno v:
Nanotechnology. 30:114001
We investigate the occurrence of interfacial reactions during the self-assembled formation of GaN nanowires on Ti/Al2O3(0001) substrates in plasma-assisted molecular beam epitaxy. The conditions typical for the synthesis of ensembles of long nanowire
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Henning Riechert, Lutz Geelhaar, L. Scarparo, Enrico Zanoni, Abbes Tahraoui, Matteo Meneghini, D. van Treeck, C. De Santi, M. Musolino
We investigated the origin of the high reverse leakage current in light emitting diodes (LEDs) based on (In,Ga)N/GaN nanowire (NW) ensembles grown by molecular beam epitaxy on Si substrates. To this end, capacitance deep level transient spectroscopy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::35f3dbebd7e8efb305a13c50c31f7211
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.