Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"Döscher, H."'
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials 2007 371(1):288-303
Autor:
Döscher, H., Lilienkamp, G., Iskra, P., Daum, W., Helsch, G., Becker, S., Wrobel, R. J., Weiss, H., Suchorski, Y.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; May2010, Vol. 107 Issue 9, p094103-1-094103-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 67-69
The concept of III-V based high efficiency solar cells on silicon substrates relies on suitable Si(100) preparation prior to III-V-on-Si heteroepitaxy. The method of choice
The concept of III-V based high efficiency solar cells on silicon substrates relies on suitable Si(100) preparation prior to III-V-on-Si heteroepitaxy. The method of choice
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3a86d692cab58d9b652e8e7115247c4
Publikováno v:
DPG-Frühjahrstagung 2012, 26.-30.03.2012, Berlin, Deutschland
Gallium phosphide thin films on cheap silicon substrates are a promising III-V/IV heterostructure to be used in optoelectronic devices. As an almost lattice matched system with a band gap difference of 1.14 eV it includes applicability for multi-junc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::cfe6f69c45b1f4dc9c02202875bde568
https://www.hzdr.de/publications/Publ-17349-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-17349-1
Autor:
Döscher, H.
Diese Arbeit untersucht das Aufwachsen von dünnen GaP-Schichten auf Si(100)-Oberflächen mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOVPE) und die damit verbundene Entstehung von Antiphasendomänen (APDs). Die Vermessung der Si(100)-Substratobe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5ad294f1e9dba3f25ab83a3fadeb613f
http://edoc.hu-berlin.de/18452/16889
http://edoc.hu-berlin.de/18452/16889
Autor:
Roesener, T., Döscher, H., Beyer, A., Brückner, S., Klinger, V., Wekkeli, A., Kleinschmidt, P., Jurecka, C., Ohlmann, J., Volz, K., Stolz, W., Hannappel, T., Bett, A.W., Dimroth, F.
25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 6-10 September 2010, Valencia, Spain; 964-968
III-V multi-junction solar cells grown on Ge substrates have achieved the h
III-V multi-junction solar cells grown on Ge substrates have achieved the h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5dc352f440ee3565608b5986a194783
Autor:
Sagol, E., Seidel, U., Szabó, N., Höhn, C., Döscher, H., Schwarzburg, K., Hannappel, T., Bauhuis, G.J., Mulder, P.
23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain; 816-819
The efficiencies of the world record III-V metamorphic triple junction (3J) solar cells could be improved further, if their Ge subcel
The efficiencies of the world record III-V metamorphic triple junction (3J) solar cells could be improved further, if their Ge subcel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f130f8cdf4151754dca3e34df14c131b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.