Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Défauts structuraux"'
Autor:
Oudaa, Massoud
Publikováno v:
Matériaux. Université de Lyon, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LYSEI067⟩
The flaw detection performance of ultrasonic non-destructive testing on polycrystalline materials can be impaired by a high attenuation of the ultrasonic beam induced by the scattering of ultrasonic waves through the grain boundaries. The objective o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a550bee1cc00b74720ae93fdb9e52732
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03137847
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03137847
Autor:
Penlap Woguia, Lucien
Afin d'optimiser les performances des circuits intégrés, l’industrie de la micro et nanotechnologie mène d'intenses recherches sur la miniaturisation à l'échelle sub-22nm de leurs principaux constituants que sont les transistors MOS. La réduc
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019GREAY015/document
Autor:
Roque, Joyce
Les semi-conducteurs III-V présentent des propriétés remarquables de mobilité électronique et d’émission optique. La croissance de ces matériaux par MOCVD sur substrat silicium (001) en 300 mm offre l’opportunité de réaliser les composan
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAY082/document
Autor:
Chattot, Raphaël
Publikováno v:
Material chemistry. Université Grenoble Alpes, 2017. English
Theoretical and/or physical chemistry. Université Grenoble Alpes, 2017. English. ⟨NNT : 2017GREAI093⟩
Theoretical and/or physical chemistry. Université Grenoble Alpes, 2017. English. ⟨NNT : 2017GREAI093⟩
This PhD thesis was initially motivated by the understanding of the peculiar electrocatalytic activity of hollow PtNi/C nanoparticles for the oxygen reduction reaction (ORR). Investigations on the formation and growth mechanism of this novel class of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dd3724b75cdbebb845148f8d8fcb15fa
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-02391367
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-02391367
Autor:
Jaramillo Fernandez, Juliana
La compréhension et le contrôle de la conductivité thermique des couches minces polycristallines est fondamentale pour améliorer la performance et la fiabilité des dispositifs micro- et optoélectroniques. Toutefois, une description et un contr
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015ECAP0031/document
Autor:
Jaramillo Fernandez, Juliana
Publikováno v:
Other. Ecole Centrale Paris, 2015. English. ⟨NNT : 2015ECAP0031⟩
The understanding and control of the thermal conductivity of nano and microscale polycrystalline thin films is of fundamental importance for enhancing the performance and reliability of micro- and optoelectronic devices. However, the accurate descrip
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::10eacbaf0c3f44f9a93f4dacd01bb65c
https://theses.hal.science/tel-01203194/file/These_JJaramillo_2015.pdf
https://theses.hal.science/tel-01203194/file/These_JJaramillo_2015.pdf
Autor:
Coulon, Pierre-Marie
Ce travail de thèse ce focalise sur la croissance et la caractérisation de Nanofils (NFs) et de Microfils (µFs) de GaN. L'élaboration de telles structures est obtenue par épitaxie en phase vapeur d'organométalliques à partir de deux stratégie
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2014NICE4020/document
Autor:
Coulon, Pierre-Marie
Publikováno v:
Autre [cond-mat.other]. Université Nice Sophia Antipolis, 2014. Français. ⟨NNT : 2014NICE4020⟩
This work focus on growth and characterization of GaN Nanowires (NWs) and Microwires (µWs). Such structures are obtained by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with two growth strategies: one called self-organized which is realized on sapphire, and th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::13cc2454f2fd7485a2fc711920d4e7f5
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01002342
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01002342
Autor:
Kolhatkar, Gitanjali
Cette thèse évalue le potentiel des alliages AlGaNAs en tant que couche active pour la quatrième jonction à ~1 eV de cellules photovoltaïques multi-jonctions III-V. L’introduction d’une faible quantité d’aluminium (Al
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11143/5932
Autor:
Gavelle, Mathieu
Dans la course à la miniaturisation des dispositifs de la microélectronique, les alliages SiGe sont des matériaux remarquables pour poursuivre l'amélioration des performances des composants de type CMOS, le Silicium atteignant aujourd'hui ses lim
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00319454
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/31/94/54/PDF/These17.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/31/94/54/PDF/These17.pdf