Zobrazeno 1 - 10
of 262
pro vyhledávání: '"D, Florescu"'
Publikováno v:
The Journal of Heart and Lung Transplantation. 42:S11-S12
Autor:
D M Toader, O Mirea, A Craciun-Mirescu, G Magareata, D Florescu, S Iordache, M Iovanescu, I Cirstea, A Aniculesei, M Busu, O Istratoaie, C Militaru
Publikováno v:
European Heart Journal. 43
Background 4-Dimensional Automated Left Atrial Quantification (4D Auto LAQ) is a technique that uses 3D volume data to determine LA strain. 4-Dimensional Automated Mitral Valve Quantification (4D Auto MVQ) evaluates anatomical and functional mitral v
Autor:
D Florescu, D Muraru, C Florescu, V Volpato, M Tomaselli, S Caravita, M Gavazzoni, G Parati, LP Badano
Publikováno v:
European Heart Journal - Cardiovascular Imaging. 23
Funding Acknowledgements Type of funding sources: None. Introduction – Non-invasive parameters used to assess right ventricular (RV) function, i.e. tricuspid annular plane systolic excursion (TAPSE), RV fractional area change (FAC), RV ejection fra
Autor:
D Florescu, LP Badano, M Tomaselli, C Torlasco, C Florescu, GC Tartea, TA Balseanu, V Volpato, G Parati, D Muraru
Publikováno v:
European Heart Journal - Cardiovascular Imaging. 23
Funding Acknowledgements Type of funding sources: None. Introduction - A by-product of left atrial (LA) strain analysis is the automated measurement of LA maximal volume (LAVmax), which may decrease the time of echocardiography reporting, and increas
Autor:
D Florescu, D Muraru, C Florescu, M Gavazzoni, V Volpato, S Caravita, M Tomaselli, TA Balseanu, G Parati, LP Badano
Publikováno v:
European Heart Journal - Cardiovascular Imaging. 23
Funding Acknowledgements Type of funding sources: None. Introduction — Atrial functional tricuspid regurgitation (A-FTR) is a recently defined phenotype of FTR associated with persistent/permanent atrial fibrillation. Differently from the classical
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 33:408-411
The AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) were grown on 4H-SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) with a range of Al compositions (30–35%) and AlGaN barrier thicknesses. Films with higher strains exhi