Zobrazeno 1 - 10
of 585
pro vyhledávání: '"D, Feiler"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
European Journal of Public Health. 25
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ea0aa4b70adb6e77137f1660d63e30e
https://doi.org/10.1093/eurpub/ckv176.017
https://doi.org/10.1093/eurpub/ckv176.017
Publikováno v:
Insights into Imaging. 9/18/2024, Vol. 15 Issue 2, p1-285. 285p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 76:430-432
The stress–temperature relationship of silica spin-on-glass thin films on silicon wafers was studied. Upon heating, the stress–temperature curves showed a dramatically increasing slope when the temperature of the film was greater than 340 °C. At
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c0e1a8aa5cccc97cab565148df618e5
https://doi.org/10.1063/1.125777
https://doi.org/10.1063/1.125777
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Brown, D. Dornish, B. Chin, L. Tsau, G. Lai, J. Turner, L. Camilletti, G. Wu, M. Johnson, P. Ding, W. Xia, D. Young, M. Brongo, Q.Z. Liu, C. Vo, L. Cook, J. Wu, J. C. Kuei, V. Ramanathan, C.H. Nguyen, D. Feiler, H. Zhang, B. Zhao, C. Chu, T. Ritzdorf, J. Zhou
Publikováno v:
1998 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (Cat. No.98CH36216).
Copper and a low dielectric constant (low-/spl kappa/) material have been successfully integrated in a dual damascene interconnect architecture. The low-/spl kappa/ material (/spl kappa/=2.2) was used as intra-level dielectric and inter-level dielect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9fd90c7c2f85265295a51ed07ca7ca8
https://doi.org/10.1109/vlsit.1998.689186
https://doi.org/10.1109/vlsit.1998.689186
Autor:
V. Ramanathan, M. Rumer, B. Zhao, H. Zhang, M.A. Biberger, C.H. Nguyen, J. Wu, D. Feiler, M. Brongo, J. C. Kuei, Q.Z. Liu, D. James, V. Sachan
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102).
Aluminum dual damascene interconnects using a low dielectric constant (low-/spl kappa/) material as intra/inter level dielectric have been successfully demonstrated. The low-/spl kappa/ material has led to significant reduction in both intra-level an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a06c39616f95ab8b03d34ac5b526206
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704775
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704775