Low temperature passivation of silicon surfaces for enhanced performance of Schottky-barrier MOSFET.

Autor: Molina-Reyes J; Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE), Electronics Department. Luis Enrique Erro #1, Santa María Tonantzintla, C.P. 72840, Puebla, Mexico., Cuellar-Juarez AM; Instituto Tecnológico de Tlalnepantla, División de Estudios de Posgrado e Investigación (ITTLA-DEPI). Av. Instituto Tecnológico S/N, Col. La Comunidad, C.P. 54070, Tlalnepantla de Baz, Estado de México, Mexico.

Publikováno v: Nanotechnology [Nanotechnology] 2023 Dec 19; Vol. 35 (10). Date of Electronic Publication: 2023 Dec 19.