Zobrazeno 1 - 10
of 417
pro vyhledávání: '"Cu metallization"'
Autor:
Howie Tseng, Yueh-Chin Lin, Chieh Cheng, Po-Wei Chen, Heng-Tung Hsu, Yi-Fan Tsao, Edward Yi Chang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 268-274 (2024)
In this study, AlGaN/GaN high-electron-mobility-transistor (HEMT) with thick Cu metallization is investigated, and the Radio Frequency (RF) performance and the reliability are analyzed. By applying thick Cu metallization of $6.0 ~\mu \text{m}$ as int
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/82a72b4f519240c1b0f2654aa4860ff0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 5, Iss 4, Pp 1840-1852 (2015)
Various structures of Cu (50 nm)/Ru (2 nm)/MgO (0.5–3 nm)/Ta (2 nm)/Si were prepared by sputtering and electroplating techniques, in which the ultra-thin trilayer of Ru (2 nm)/MgO (0.5–3 nm)/Ta (2 nm) is used as the diffusion barrier against the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/898ee2ce0b12449c99081bb896ab988d
Publikováno v:
Coatings; Volume 12; Issue 6; Pages: 811
WSiN films were produced through hybrid pulse direct current/radio frequency magnetron co-sputtering and evaluated as diffusion barriers for Cu metallization. The Cu/WSiN/Si assemblies were annealed for 1 h in a vacuum at 500–900 °C. The structura
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.