Zobrazeno 1 - 10
of 1 174
pro vyhledávání: '"Cu diffusion barrier"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Johanna (Sanne) H. Deijkers, Arthur A. deJong, Miika J. Mattinen, Jeff J. P. M. Schulpen, Marcel A. Verheijen, Hessel Sprey, Jan Willem Maes, Wilhelmus (Erwin) M. M. Kessels, Ageeth A. Bol, Adriaan J. M. Mackus
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 12, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Miniaturization in integrated circuits requires that the Cu diffusion barriers located in interconnects between the Cu metal line and the dielectric material should scale down. Replacing the conventional TaN with a 2D transition metal dichal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cf0691abe86647728518a52e4199b94c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 10/11/2023, Vol. 15 Issue 40, p47845-47854, 10p
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 5 April 2021 859
Autor:
Joo, Yong-Hwan, Nandi, Dip K., Ramesh, Rahul, Jang, Yujin, Bae, Jong-Seong, Cheon, Taehoon, Kim, Soo-Hyun
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 25 March 2021 858
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; October 2023, Vol. 15 Issue: 40 p47845-47854, 10p