Zobrazeno 1 - 10 of 256 pro vyhledávání: '"Csavinszky, P."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Open-Shell Ground-State Energy of the He2+ Molecule Ion.
Autor: Csavinszky, P.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Jul1959, Vol. 31 Issue 1, p178-181, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Effect of the Thermal Population of the (000) and (100) Conduction Bands on the Elastic Constants of Heavily Doped n-Type Germanium.
Autor: Csavinszky, P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1966, Vol. 37 Issue 5, p1967-1973, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Effect of Holes on the Elastic Constant C′ of Degenerate p-Type Si.
Autor: Csavinszky, P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1965, Vol. 36 Issue 12, p3723-3727, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Coherent Elastic X-Ray Scattering by Atoms. Use of an Improved Thomas-Fermi Model.
Autor: Csavinszky, P.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Jan1970, Vol. 52 Issue 1, p304-309, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Approximate Analytical Solutions of the Thomas-Fermi-Dirac and Thomas-Fermi-Dirac-Gombás Equations.
Autor: Csavinszky, P.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Mar1969, Vol. 50 Issue 6, p2476-2485, 10p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Approximate Analytical Solutions of the Thomas-Fermi Equation for Positive Ions.
Autor: Csavinszky, P.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Feb1969, Vol. 50 Issue 3, p1176-1181, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
A numerical investigation of model effective-mass Hamiltonians and the associated wavefunction-matching conditions for abrupt heterojunctions.
Autor: Csavinszky, P, Elabsy, A M
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; 1988, Vol. 3 Issue 10, p1010-1014, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje