Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Crystalline orientations"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michael Foerster, I. Šics, Markos Paradinas, M. G. Cuxart, Alejandro R. Goñi, H. Moreno Fernandez, Eric Pellegrin, Guillaume Sauthier, V. Carlino, Lucia Aballe, Elzbieta Pach
Publikováno v:
Recercat: Dipósit de la Recerca de Catalunya
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
Varias* (Consorci de Biblioteques Universitáries de Catalunya, Centre de Serveis Científics i Acadèmics de Catalunya)
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
Recercat. Dipósit de la Recerca de Catalunya
Multiple layers of graphene thin films with micro-crystalline orientation and vertical graphene nano-sheets were grown on different substrates (i.e., polycrystalline nickel foil, Ni(111), highly oriented pyrolytic graphite) using a single-step proces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d5012a1042aedbe70aa76c9cf285731b
https://ddd.uab.cat/record/225310
https://ddd.uab.cat/record/225310
Autor:
Aman Taukenov, Brian Enders, Serekbol Tokmoldin, Ersin Bahceci, Zain H. Yamani, Laila Abuhassan, Munir H. Nayfeh
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 9, Iss 5, Pp 055228-055228-7 (2019)
Yamani, Zain/0000-0002-6031-9385; Enders, Brian/0000-0002-5284-4040; Tokmoldin, Serekbol/0000-0003-0633-4733; BAHCECI, ersin/0000-0002-7719-6051
WOS: 000477701000088
We use silicon having multiple crystalline orientation domains and high me
WOS: 000477701000088
We use silicon having multiple crystalline orientation domains and high me
Publikováno v:
Materials; Volume 10; Issue 6; Pages: 633
Materials
Materials
To fabricate high-quality polycrystalline VO₂ thin film with a metal-insulator transition (MIT) temperature less than 50 °C, high-power impulse magnetron sputtering with different discharge currents was employed in this study. The as-deposited VO
Autor:
Krishnan Balasubramaniam, Jitendra S. Valluri, Amretendu Mukhopadhyay, Rajdeep Sarkar, Sony Punnose, T.K. Nandy
Publikováno v:
IndraStra Global.
Present study endeavors to establish the physical basis of an unprecedented trend in scatter, observed in nonlinear ultrasonic (NLU) parameter, associated with varying degree of crystallographic orientation change across crystallites in a polycrystal
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Favret, Eduardo Alfredo
Publikováno v:
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
El presente trabajo de investigación introduce una descripción de la superficiemetálica, ya sea luego de un desbaste mecánico o de un ataque químico específico,como composición de estructuras de bordes rectos en distintas direcciones superfici
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::61443f56247f3662cb971cc49a17e1e8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.