Zobrazeno 1 - 10
of 70
pro vyhledávání: '"Cressler, J. D."'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2019, Vol. 125 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 9p, 4 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Autor:
Hegde, Vinayakprasanna N., Hemaraju, B. C., Pradeep, T. M., Manju, V. V., Cressler, J. D., Prakash, A. P. Gnana, Sharma, Veerendra K., Prajapat, C. L., Yusuf, S. M.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2020, Vol. 2265 Issue 1, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Díez, S, Wilder, M, Ullán, M, Tazawa, Y, Sutton, A K, Spieler, H, Spencer, E, Seiden, A, Sadrozinski, H F W, Ruat, M, Rescia, S, Phillips, S, Newcomer, F M, Mayers, G, Martinez-McKinney, F, Mandić, I, Kononenko, W, Grillo, A A, Emerson, V, Dressnandt, N, Cressler, J D
We present the radiation hardness studies on the bipolar devices of the 130 nm 8WL Silicon Germanium (SiGe) BiCMOS technology from IBM. This technology has been proposed as one of the candidates for the Front-End (FE) readout chip of the upgraded Inn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________65::abf9101922323f2802db0af081b72870
http://cds.cern.ch/record/1235853
http://cds.cern.ch/record/1235853
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gnana Prakash, A. P., Hegde, Vinayakprasanna N., Pradeep, T. M., Pushpa, N., Bajpai, P. K., Patel, S. P., Trivedi, Tarkeshwar, Cressler, J. D.
Publikováno v:
Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena; Nov-Dec2017, Vol. 172 Issue 11/12, p922-930, 9p
Autor:
Raghavan, Anand, Jalan, Umesh, Chakraborty, Sudipto, Lee, Chang-Ho, Laskar, Joy, Chen, Emery, Lee, JongSoo, Cressler, J. D., Freeman, Greg, Joseph, Alvin
Publikováno v:
Raghavan, Anand ; Jalan, Umesh ; Chakraborty, Sudipto ; Lee, Chang-Ho ; Laskar, Joy ; Chen, Emery ; Lee, JongSoo ; Cressler, J. D. ; Freeman, Greg ; Joseph, Alvin (2004) A Millimeter-Wave Linear Low Noise Amplifier in SiGe HBT Technology with Substrate Parasitic Model. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2004, 11—12 Ottobre, Amsterdam.
This paper outlines the design and implementation of a monolithic millimeter-wave low noise amplifier (LNA) fabricated in a 200 GHz SiGe HBT technology. A simple analytical model of electromagnetic and substrate parasitic effects inherent at millimet
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c4ece4db07146e3bc2ff7cf2a12f9750
http://amsacta.unibo.it/1002/
http://amsacta.unibo.it/1002/