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pro vyhledávání: '"Crescimento de semicondutores"'
Autor:
Dalpian, Gustavo Martini
A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstru
Autor:
Angelo Malachias, Guinther Kellermann, E. Avendaño, A. A. M. Gasperini, Gustavo de Medeiros Azevedo, Angelo L. Gobbi, Gilberto Fernandes Lopes Fabbris
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
The formation of GeSi nanoparticles on an SiO2matrix is studied here by synchrotron-based techniques. The shape, average diameter and size dispersion were obtained from grazing-incidence small-angle X-ray scattering data. X-ray diffraction measuremen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e0588381b1a6d3c0cdb102edc037e001
https://doi.org/10.1107/s0021889811049302
https://doi.org/10.1107/s0021889811049302
Autor:
Rodrigues, Adriana
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Este trabalho foi dedicado à produção e caracterização de filmes nanoestruturados de ZnO, depositado pelo método CBD (Chemical Bath Deposition). Trata-se de um método atrativo por ser simples, de baixo custo, por permitir o uso de diferentes s
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/103879
Autor:
Claudia Schnohr, Mark C Ridgway, Patrick Kluth, Leandro Araujo, Bernt Johannessen, Zohair S. Hussain, Christopher Glover, Kristiaan Temst, Raquel Giulian, André Vantomme, Felipe Kremer, S. Decoster, David J. Sprouster, Hazar A. Salama
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Lift-off protocols for thin films for improved extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements are presented. Using wet chemical etching of the substrate or the interlayer between the thin film and the substrate, stand-alone high-qualit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c590e22643f93aa544b332f2805f1477
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/417348
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/417348
Autor:
Gustavo Martini Dalpian
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstru
Autor:
Leonardo Miotti, Israel Jacob Rabin Baumvol, Karen Paz Bastos, Cristiano Krug, Claudio Radtke, Gerald Lucovsky, Gabriel Vieira Soares
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Thermally driven atomic transport in HfO2/GeO2/substrate structures on Ge(001) and Si(001) was investigated in N2 ambient as function of annealing temperature and time. As-deposited stacks showed no detectable intermixing and no instabilities were ob
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::77043c94f868c2fddb605aa14a00bc67
https://doi.org/10.1063/1.3574093
https://doi.org/10.1063/1.3574093
Autor:
Notari, Airton Carlos
Amostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silí
Autor:
Airton Carlos Notari
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Amostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silí