Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Craigo, B."'
Autor:
Myhajlenko, S., Bell, A., Ponce, F., Edwards, Jr., J. L., Wei, Y., Craigo, B., Convey, D., Li, H., Liu, R., Kulik, J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/1/2005, Vol. 97 Issue 1, p014101, 8p, 5 Black and White Photographs, 1 Chart, 5 Graphs
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2003, Vol. 786 Issue 1, p1-6, 6p
Autor:
Yu, Z., Liang, Y., Li, H., Curless, J., Overgaard, C., Droopad, R., Wei, Y., Hu, X., Craigo, B., Finder, J., Eisenbeiser, K., Talin, A., Smith, S., Voight, S., Wang, J., Marshall, D., Jordan, D., Edwards, J., Moore, K.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2002, Vol. 747 Issue 1, p1-12, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Haeni, J.H., Irvin, P., Chang, W., Uecker, R., Reiche, P., Li, Y.L., Choudhury, S., Tian, W., Hawley, M.E., Craigo, B., Tagantsev, A.K., Pan, X.Q., Streiffer, S.K., Chen, L.Q., Kirchoefer, S.W., Levy, J., Schlom, D.G.
Publikováno v:
Nature; 8/12/2004, Vol. 430 Issue 7001, p758-761, 4p
Autor:
Haeni, J. H., Irvin, P., Chang, W., Uecker, R., Reiche, P., Li, Y. L., Choudhury, S., Tian, W., Hawley, M. E., Craigo, B., Tagantsev, A. K., Pan, X. Q., Streiffer, S. K., Chen, L. Q., Kirchoefer, S. W., Levy, J., Schlom, D. G.
Systems with a ferroelectric to paraelectric transition in the vicinity of room temperature are useful for devices. Adjusting the ferroelectric transition temperature (T-c) is traditionally accomplished by chemical substitution - as in BaxSr1-xTiO3,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::d835c9ebbe86fab60e0bd95130d751fa
https://infoscience.epfl.ch/record/89092
https://infoscience.epfl.ch/record/89092
