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pro vyhledávání: '"Courant tunnel"'
Autor:
Ryba, Lukasz
L'objectif de la thèse est l'élaboration de lois de commande de haute performance et leur validation en temps réel sur une plateforme expérimentale 3D de nano-positionnement à base de courant à effet tunnel, développée au laboratoire GIPSA-la
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAT112/document
Autor:
Rafhay, Quentin
La réduction des dimensions des transistors MOS, brique de base des circuits intégrés, ne permet plus d'augmenter efficacement leurs performances. Une des solutions envisagées actuellement consiste à remplacer le silicium par d'autres semi-condu
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00398674
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/86/74/PDF/THESE_QUENTIN_RAFHAY.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/86/74/PDF/THESE_QUENTIN_RAFHAY.pdf
Autor:
Aziz, Abdelhak, Kassmi, Khalil, Maimouni, Rabah, Olivié, François, Sarrabayrouse, Gérard, Martinez, Augustin
Publikováno v:
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.116-122
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, France. pp.116-122
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.116-122
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, France. pp.116-122
Le travail présenté dans cette communication concerne la réalisation et la caractérisation électrique (courant-tension I/V) des diodes Schottky en polymère (P3OT) de type P. Les résultats obtenus montrent que les structures réalisés sont sta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ab8b33389374bd530f286835307aca85
https://hal.inria.fr/inria-00000728/document
https://hal.inria.fr/inria-00000728/document
Autor:
Hourani, Wael
La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l’oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches m
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011ISAL0109/document
Autor:
Hourani , Wael
Publikováno v:
Other. INSA de Lyon, 2011. English. ⟨NNT : 2011ISAL0109⟩
Other. INSA de Lyon, 2011. English. 〈NNT : 2011ISAL0109〉
Other. INSA de Lyon, 2011. English. 〈NNT : 2011ISAL0109〉
Miniaturization of the MOS transistor structure has led to the high thinning of the gate oxide. Hence, degradation and breakdown under electrical stress became one of the important reliability concerns of thin oxide films. The use of characterization
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3f557d96d9fbc16603c45b658a49c701
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952841
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952841
Autor:
Ahmad, Irfan
L'objet de la thèse était la commande d'un système de nano-positionnement par couranttunnel, avec application sur la plateforme expérimentale développée au laboratoire Gipsa-lab.Cette thèse s'inscrit dans le cadre de la commande des systèmes
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011GRENT082/document
Autor:
Ahmad, Irfan
L'objet de la thèse était la commande d'un système de nano-positionnement par couranttunnel, avec application sur la plateforme expérimentale développée au laboratoire Gipsa-lab.Cette thèse s'inscrit dans le cadre de la commande des systèmes
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00720623
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/72/06/23/PDF/These_Irfan_AHMAD.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/72/06/23/PDF/These_Irfan_AHMAD.pdf
Autor:
Ahmad, Irfan
Publikováno v:
Other. Université de Grenoble, 2011. English. ⟨NNT : 2011GRENT082⟩
The objective of this thesis was to control the nano-positioning system using tunneling current with the real-time validation over an experimental platform developed in Gipsa-lab. This thesis lies in the domain of control for micro and nano-mechatron
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5bd1c89bd83fdb24d6ef227bace02f47
https://theses.hal.science/tel-00663060v2
https://theses.hal.science/tel-00663060v2
Autor:
Coignus, Jean
A partir du noeud technologique 45 nm, le remplacement de l'oxyde de grille SiO2 par un diélectrique high-κ est nécessaire pour poursuivre la loi de Moore : l'introduction d'un tel matériau permet de maintenir une capacité de grille élevée tou
Autor:
Coignus, Jean
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2010. Français
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩
Since 45nm node, the replacement of conventional SiO2 oxide by a high-permittivity dielectric has become mandatory to continue Moore's law : such material enables to keep high gate capacitance values while reducing gate leakage current. However, a co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ac8ecae324dd435a0d25a10e2e5c039d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557752
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557752