Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Couche épitaxiées de GaN sur substrat silicium"'
Autor:
Souguir-Aouani, Amira
Il y a actuellement un intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à semiconducteur pour les applications domotiques. La technologie des semiconducteurs de puissance a été essentiellement limitée au silicium. Récemmen
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI093/document
Autor:
Souguir-Aouani , Amira
Publikováno v:
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEI093〉
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI093⟩
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI093⟩
There is increasing interest in the fabrication of power semiconductor devices in home automation applications. Power semiconductor technology has been essentially confined to Si. Recently, new materials with superior properties are being investigate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c7d4e1a451559495dc82060821927af8
https://theses.hal.science/tel-01784876
https://theses.hal.science/tel-01784876