Výsledky vyhledávání - "Coquand, Remi"

Procédures de mesure du « bruit » d'un AFM : un retour d'expérience

Autor: Mariolle, Denis, Lecouvey, Christophe, Coquand, Remi, Chevalier, Nicolas

Publikováno v: Forum des microscopies à sonde locale
Forum des microscopies à sonde locale, Mar 2022, Saint-Valery-Sur-Somme, France. 2022

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::972179a035b8b1b604735fef8f98c29b
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03689189

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Periodical

(Invited) Germanium Enrichment for Planar-, Fin- and Nanowire-Channel MOSFETs Made on SOI

Autor: Augendre, Emmanuel, Loubet, Nicolas, Francois, Pierre, Liu, Qing, Schmitt, Joel, L, Benoit, Nguyen, Phuong, Barraud, Sylvain, Hutin, Louis, Maitrejean, Sylvain, Salvo, Barbara De, Coquand, Remi, Reboh, Shay, Venigalla, Rajasekhar, Doris, Bruce, Yamashita, Tenko, Faynot, Olivier, Vinet, Maud

Publikováno v: ECS Transactions; August 2016, Vol. 75 Issue: 8 p505-512, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Periodical

(Invited) Strain-Enhanced Performance of Si-Nanowire FETs

Autor: Casse, Mikael, Barraud, Sylvain, Coquand, Remi, Koyama, Masahiro, Cooper, David, Delaye, Vincent, Aussenac, Francois, Ghibaudo, Gerard, and, Iwai, Reimbold, Gilles

Publikováno v: ECS Transactions; May 2013, Vol. 53 Issue: 3 p125-136, 12p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

On the Optimization of Ebeam Lithography Using Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) for Innovative Self-Aligned CMOS Process

Autor: Coquand, Remi, Monfray, Stephane, Pradelles, Jonathan, Martin, Luc, Samson, Pierre, Bustos, Jessy, Barraud, Sylvain, Boeuf, Frederic, Skotnicki, Thomas, Ghibaudo, Gerard, Poiroux, Thierry, Faynot, Olivier

Publikováno v: ECS Transactions; May 2013, Vol. 53 Issue: 3 p177-184, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Dissertation/ Thesis

Démonstration de l'intérêt des dispositifs multi-grilles auto-alignées pour les nœuds sub-10nm

Autor: Coquand, Rémi

Les nombreuses modifications de la structure du transistor bulk ont permis de poursuivre la miniaturisation jusqu'à sa limite aux nœuds 32/28nm. Les technologies actuelles répondent au besoin d'un meilleur contrôle électrostatique en s'ouvrant v

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2013GRENT092/document

Zobrazit plný text záznamu