Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Control signal swing"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 127895-127905 (2021)
The ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is one of the most promising candidates for emerging nonvolatile memory devices owing to its low write energy and high $I_{\mathrm {ON}}/I_{\mathrm {OFF}}$ ratio. For FeFET applications as nonvolatile
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/76cfe149f43b4ce5a678498f27d22904
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 127895-127905 (2021)
The ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is one of the most promising candidates for emerging nonvolatile memory devices owing to its low write energy and high $I_{\mathrm {ON}}/I_{\mathrm {OFF}}$ ratio. For FeFET applications as nonvolatile
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5d12c47dd0759c876180018fd2169155
https://ieeexplore.ieee.org/document/9535498/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9535498/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.