Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"Constant photocurrent method"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Theoretical and Applied Physics, Vol 13, Iss 2, Pp 107-113 (2019)
Different optical characterization techniques have been performed on a series of microcrystalline silicon thin films deposited using very high-frequency-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition process. The constant photocurrent method has
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::39734f541ce116fa9a77543f0dbc9894
http://link.springer.com/article/10.1007/s40094-019-0325-4
http://link.springer.com/article/10.1007/s40094-019-0325-4
Autor:
T. Tibermacine, A. Merazga
Publikováno v:
Revue des Énergies Renouvelables, Vol 13, Iss 1, Pp 63 – 70-63 – 70 (2010)
In the present paper we have investigated, by using the constant photocurrent method in dc-mode (dc-CPM), the effect of the light soaking (LS) on the deep defect density (Nd) and the slope of the Urbach tail (E0) of a slightly phosphorus-doped hydrog
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/534306f016474eeaabee354d41c8b67d
Autor:
T. Tibermacine, A. Merazga
Publikováno v:
Revue des Énergies Renouvelables, Vol 12, Iss 1, Pp 125 – 135-125 – 135 (2009)
In the present paper, constant photocurrent method, ‘CPM’ is used to determine the defects distribution from the optical absorption spectra of semi-insulating Cr-doped GaAs. By using the derivative method, we have extracted the distribution of th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/754a40578aae49ad954eac60aa5d2bfb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Memoirs of the Faculty of Engineering, Miyazaki University = 宮崎大学工学部紀要. 38:67-71
Amorphous semiconductors such as amorphous silicon (a-Si) have received much attention as a material for high-efficiency photovoltaic solar cells. Value of the optical absorption coefficient is of a great interest since it determines the optical prop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::1bf72f03fe70a222cafc69a968c759a3
http://hdl.handle.net/10458/2380
http://hdl.handle.net/10458/2380
Autor:
Sergey V. Novikov, Mark V. Khenkin, V. V. Malov, Anatoly V. Vannikov, Andrey G. Kazanskii, Alexey R. Tameev
Publikováno v:
Organic Photonics and Photovoltaics, Vol 3, Iss 1 (2015)
Optical and photoelectric properties of modern photosensitive polymers are of great interest due to their prospects for photovoltaic applications. In particular, an investigation of absorption and photoconductivity edge of these materials could provi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::00e845b21e3887e09302acb088c9e589
https://doi.org/10.1515/oph-2015-0011
https://doi.org/10.1515/oph-2015-0011
Autor:
M.F. Ferreira Marques, C. Lopes Gil, Zs. Kajcsos, Guilherme Lavareda, A.P. de Lima, C. Nunes de Carvalho, A. Amaral, P.M. Gordo
Publikováno v:
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (RCAAP)
instacron:RCAAP
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (RCAAP)
instacron:RCAAP
Defect structure of hydrogenated amorphous silicon thin-films was studied by positron annihilation spectroscopy (PAS), whereas the density of states below the Fermi level was measured by constant photocurrent method (CPM). Divacancies and large vacan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cfca9d4d627ff69f0194cd191be30863
