Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Conrad, Nathan J."'
Autor:
Hofmann, Douglas C., Bordeenithikasem, Punnathat, Zhu, Yuhang, Liu, Yufei, Conrad, Nathan J., Davis, B. Alan, Christiansen, Eric L., Shakouri, Ali, Mohammadi, Saeed
Publikováno v:
In Aerospace Science and Technology August 2023 139
Autor:
Si, Mengwei, Su, Chun-Jung, Jiang, Chunsheng, Conrad, Nathan J., Zhou, Hong, Maize, Kerry D., Qiu, Gang, Wu, Chien-Ting, Shakouri, Ali, Alam, Muhammad A., Ye, Peide D.
Publikováno v:
Nature Nanotechnology 13, 24-28 (2018)
The so-called Boltzmann Tyranny defines the fundamental thermionic limit of the subthreshold slope (SS) of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) at 60 mV/dec at room temperature and, therefore, precludes the lowering of the sup
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.06865
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp5.2.1 - 5.2.4
The metal contacts on 2D black phosphorus field-effect transistor and photodetectors are studied. The metal work functions can significantly impact the Schottky barrier at the metal-semiconductor contact in black phosphorus devices. Higher metal work
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.07392
Autor:
Conrad, Nathan J., Heckler, Emerson P., Lee, Ben J., Hill, Garrett W., Flood, Tessa R., Wheeler, Lucy E. V., Costello, Rianne, Walker, Ella F., Gillum, Trevor L., Willems, Mark E. T., Kuennen, Matthew R.
Publikováno v:
European Journal of Applied Physiology; Aug2024, Vol. 124 Issue 8, p2315-2328, 14p
Autor:
Deng, Yexin, Luo, Zhe, Conrad, Nathan J., Liu, Han, Gong, Yongji, Najmaei, Sina, Ajayan, Pulickel M., Lou, Jun, Xu, Xianfan, Ye, Peide D.
Publikováno v:
ACS Nano, 2014, 8(8), pp. 8292-8299
Phosphorene, an elemental 2D material, which is the monolayer of black phosphorus, has been mechanically exfoliated recently. In its bulk form, black phosphorus shows high carrier mobility (~10000 cm2/Vs) and a ~0.3 eV direct bandgap. Well-behaved p-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.3430
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deng, Yexin, Luo, Zhe, Conrad, Nathan J., Liu, Han, Gong, Yongji, Najmaei, Sina, Ajayan, Pulickel M., Lou, Jun, Xu, Xianfan, Ye, Peide D.
Publikováno v:
ACS Nano; July 2014, Vol. 8 Issue: 8 p8292-8299, 8p