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pro vyhledávání: '"Conmutación Resistiva"'
Autor:
Guillermo Vinuesa
Publikováno v:
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
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En los últimos años, la búsqueda de sustitutos para la actual tecnología CMOS en la que se basan la mayoría de memorias de estado sólido, como las flash, se ha incrementado. Ello ha causado que fenómenos como la conmutación resistiva (resisti
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d56118e58d6b59f6b057b1ddfb9ac948
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52426
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52426
En este trabajo se llevan a cabo diversos experimentos de caracterización eléctrica sobre muestras metal-aislante-metal (MIM) y metal-aislante-semiconductor (MIS) enmarcados en el estudio del fenómeno de conmutación resistiva, esto es, el cambio
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1514::79bca6c3101c4403f8d88ba21304509e
Autor:
Poblador Cester, Samuel
Publikováno v:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
TDR. Tesis Doctorales en Red
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Universitat Autònoma de Barcelona
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
TDR. Tesis Doctorales en Red
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
[EN] In recent years, there has been a great interest in resistive switching devices due to their potential to revolutionize the world of electronics. This thesis focuses on the design, fabrication and characterisation of this type of devices with a
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1dea9fc8921684f1851881e153eada08
http://hdl.handle.net/10261/274789
http://hdl.handle.net/10261/274789
Autor:
Gross, Katherine, Gómez de Prieto, María Elena, Lopera Muñoz, Wilson, Porras Montenegro, Nelson, Suárez, Luisa Fernanda, Betancourt, John, Quiñonez, Mario Fernando, Torres, Margoth Lorena, Ceballos, Santiago, Marín, Lorena, Ramírez, Juan Gabriel
Publikováno v:
Repositorio Digital Univalle
Universidad del Valle
instacron:Universidad del Valle
Universidad del Valle
instacron:Universidad del Valle
La conmutación resistiva de estructuras tipo conductor/aislante/conductor es actualmente un tópico altamente investigado debido a su potencial aplicación en el campo de dispositivos de memoria no volátil. El propósito general de este proyecto co
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::a88f0b32450f2b9d10bd007138301368
Autor:
Ceballos, Santiago1 ceballos@correounivalle.edu.co, Marín, Lorena1,2, Elena Gómez, María1,2, Cardona, Alexander3, Gabriel Ramírez, Juan3
Publikováno v:
Journal of Research of the University of Quindio / Revista de Investigaciones Universidad del Quindio. 2019 Supplement, Vol. 31, p153-153. 1p.
Autor:
Blasco Solans, Juli
Publikováno v:
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
TDR. Tesis Doctorales en Red
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TDR. Tesis Doctorales en Red
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La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno de conmutación resisti
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9a1c363670c867a80392676ec1f42820
http://hdl.handle.net/10803/406087
http://hdl.handle.net/10803/406087
Autor:
González Ossorio, Óscar
Publikováno v:
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
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Las memorias resistivas (RRAMs) son consideradas de gran interés en la actualidad y la investigación de las mismas concita una gran expectación. La paulatina mejora de los dispositivos electrónicos puede verse impulsada por esta vía, todavía en
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6c63f81dc3f1715658cf5c720ebf5d11
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/27587
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/27587
Autor:
Boo Alvarez, Jonathan
Debido a la necesidad de nuevas tecnologías en el ámbito de la computación, el almacenamiento de datos o el desarrollo de inteligencias artificiales, los memristores se han postulado como uno de los dispositivos de mayor relevancia en el futuro, y
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1514::eb4c014e5c731f04edb2e332e34098c5
Autor:
Valdavida Aparicio, Adrián
Publikováno v:
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
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La conmutación resistiva de estructuras MIM (metal-aislante-metal) está siendo investigada por su posible aplicación inmediata en el campo de los dispositivos de memoria entre otras aplicaciones. En este trabajo de fin de grado, primero se ha real
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::faa21a975af0c3f067bbb0c1659b02ca
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32064
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32064
Autor:
Benito Díez, Miriam
Publikováno v:
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
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La ferroelectricidad ha sido uno de los fenómenos más utilizados y estudiados en la comunidad científica. Es una propiedad de ciertos dieléctricos que favorece la presencia de polarización eléctrica espontánea en ausencia de campo eléctrico.
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3a583ff51afaf08c132c88799d8a3176
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32956
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32956