Zobrazeno 1 - 10
of 463
pro vyhledávání: '"Conductive filaments"'
Autor:
Zehan Liu, Pengpeng Cheng, Ruyan Kang, Jian Zhou, Xiaoshan Wang, Xian Zhao, Jia Zhao, Duo Liu, Zhiyuan Zuo
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 10, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Memristors are regarded as promising candidates for breaking the problems including high off‐chip memory access delays and the hash rate cost of frequent data moving induced by algorithms for data‐intensive applications of existing compu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/65c13b8944ab4c68adca6b331c963983
Autor:
Riccardo Colella, Francesco P. Chietera, Giacomo Muntoni, Giovanni A. Casula, Giorgio Montisci, Luca Catarinucci
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 34891-34898 (2023)
3D printing is a technology suitable for creating electronics and electromagnetic devices. However, the manufacturing of both dielectric and conductive parts in the same process still remain a challenging task. This study explores the combination of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b0486c0149a04415b9997c7ec84e0b17
Autor:
Eleni Gkartzou, Artemis Kontiza, Konstantinos Zafeiris, Elena Mantzavinou, Costas A. Charitidis
Publikováno v:
Materials, Vol 16, Iss 24, p 7530 (2023)
With an ever-increasing material and design space available for Fused Filament Fabrication (FFF) technology, fabrication of complex three-dimensional structures with functional performance offers unique opportunities for product customization and per
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/07b738a6a43348ddb935f61dc8a01296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
SunHwa Min, Da Seul Hyeon, Gabriel Jang, Jisoo Choi, Jeongwoo Seo, Soyeong Kwon, Dong‐Wook Kim, Jin Pyo Hong
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Advanced resistive random‐access memory (ReRAM) devices based on resistive switching (RS) have been intensely studied for future high‐density nonvolatile memory devices owing to their high scalability, simplified integration, fast operat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62520de0fb6b4d98be80bbd33f5e5ff3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.