Zobrazeno 1 - 10
of 3 074
pro vyhledávání: '"Compound Semiconductor"'
Autor:
Arun Kumar Dhasiyan, Frank Wilson Amalraj, Swathy Jayaprasad, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-18 (2024)
Abstract Using our recently developed radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) technique, we have grown gallium nitride (GaN) on bulk GaN and GaN on Si templates. Three features make up this system: (1) applying very high-fre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92d0d66c5aa24cb99c6eaaf75013cf14
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 12, Iss 13, Pp 2603-2610 (2023)
We demonstrate heterogeneous integration of active semiconductor materials into the conventional passive metal-insulator-metal (MIM) waveguides to provide compact on-chip light generation and detection capabilities for chip-scale active nanophotonic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/071b9ffa6ff24892be91b9ce837bbf6e
Publikováno v:
Journal of Chemical Engineering of Japan, Vol 56, Iss 1 (2023)
Growth of InGaSb crystals with a flatter growth interface by Vertical Gradient Freezing (VFG) under normal gravity was numerically investigated. The growth of high-quality crystals is difficult due to the adverse effect of natural convection under th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4ba97dc925184753a169f883728d2328
Autor:
Jongho Ji, Hoe-Min Kwak, Jimyeong Yu, Sangwoo Park, Jeong-Hwan Park, Hyunsoo Kim, Seokgi Kim, Sungkyu Kim, Dong-Seon Lee, Hyun S. Kum
Publikováno v:
Nano Convergence, Vol 10, Iss 1, Pp 1-21 (2023)
Abstract Remote epitaxy, which was discovered and reported in 2017, has seen a surge of interest in recent years. Although the technology seemed to be difficult to reproduce by other labs at first, remote epitaxy has come a long way and many groups a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b33e53f004b848f98cedadfc56afb7b3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leonardo Abbene, Antonino Buttacavoli, Fabio Principato, Gaetano Gerardi, Manuele Bettelli, Andrea Zappettini, Massimiliano Bazzi, Mario Bragadireanu, Michael Cargnelli, Marco Carminati, Alberto Clozza, Griseld Deda, Raffaele Del Grande, Luca De Paolis, Laura Fabbietti, Carlo Fiorini, Carlo Guaraldo, Mihail Iliescu, Misahiko Iwasaki, Aleksander Khreptak, Simone Manti, Johann Marton, Marco Miliucci, Pawel Moskal, Fabrizio Napolitano, Szymon Niedźwiecki, Hiroaky Ohnishi, Kristian Piscicchia, Yuta Sada, Francesco Sgaramella, Hexi Shi, Michalł Silarski, Diana Laura Sirghi, Florin Sirghi, Magdalena Skurzok, Antonio Spallone, Kairo Toho, Marlene Tüchler, Oton Vazquez Doce, Chihiro Yoshida, Johannes Zmeskal, Alessandro Scordo, Catalina Curceanu
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 17, p 7328 (2023)
Kaonic atom X-ray spectroscopy is a consolidated technique for investigations on the physics of strong kaon–nucleus/nucleon interaction. Several experiments have been conducted regarding the measurement of soft X-ray emission (20 keV) from intermed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/11876c5fedf44080b2e759b0f1a026cf
Autor:
Isabella Peracchi, Carsten Richter, Tobias Schulz, Jens Martin, Albert Kwasniewski, Sebastian Kläger, Christiane Frank-Rotsch, Patrick Steglich, Karoline Stolze
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 7, p 1126 (2023)
New requirements for high-frequency applications in wireless communication and sensor technologies need III-V compound semiconductors such as indium phosphide (InP) to complement silicon (Si)-based technologies. This study establishes the basis for a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/02648caaee4f445f9062a500a377aaa6