Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Compact SPICE Modeling"'
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wladek Grabinski, Daniel Tomaszewski
Publikováno v:
Springer Handbook of Semiconductor Devices ISBN: 9783030798260
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5642ec79c2d5bedc54f9ca059f15fdf
https://doi.org/10.1007/978-3-030-79827-7_34
https://doi.org/10.1007/978-3-030-79827-7_34
Autor:
Murthy, Rambhatla V.R., Dutta, Viresh
Publikováno v:
In Journal of Non-Crystalline Solids 2008 354(31):3780-3784
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rambhatla V.R. Murthy, Viresh Dutta
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 354:3780-3784
The defect states in bulk of i-layer and at p + /i interface have been studied by using dark reverse current–voltage ( J – V ) measurements. The dark reverse current as a function of voltage has been analyzed on the basis of thermal generation of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae3950cbaa67fb1997046d3334245bbb
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2008.03.041
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2008.03.041
Publikováno v:
2015 IEEE Student Conference on Research and Development (SCOReD).
Spin-transfer torque magnetic tunnel junction (STT-MTJ) broadens the operation of electronic devices by using the electron spin along with its charge. In this work, the static behavior of the STT-MTJ is investigated using a mathematical model and a S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eff0fd97c82947e316953cce2bdb036d
https://doi.org/10.1109/scored.2015.7449413
https://doi.org/10.1109/scored.2015.7449413
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Murthy, Rambhatla V.R.1 murthy.rambhatla@perkinelmer.com, Dutta, Viresh2
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. Aug2008, Vol. 354 Issue 31, p3780-3784. 5p.
Publikováno v:
ISCAS '98. Proceedings of the 1998 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (Cat. No.98CH36187).
We present a SPICE model that takes into account the different mechanisms underlying the reverse leakage current in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film transistors (TFTs). The main source of leakage current in these devices appears to b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa1ec18e2e55e53f54d6cbbbea27d193
https://doi.org/10.1109/iscas.1998.705295
https://doi.org/10.1109/iscas.1998.705295