Zobrazeno 1 - 10
of 1 665
pro vyhledávání: '"Common source"'
Autor:
Mozhgan Javahernia, Sahel Javahernia
Publikováno v:
مهندسی مخابرات جنوب, Vol 12, Iss 48, Pp 71-84 (2024)
Today, one of the most important issues in mobile communication systems is having a long battery life. Therefore, the problem of power consumption appears as one of the challenges in the field of designing high frequency circuits. In a high-frequency
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/64662f4086814763b5b978cced21495d
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 76404-76412 (2024)
A wideband single-ended-to-differential (S-to-D) low-noise amplifier (LNA) for ultra-wideband (UWB) wireless sensors and internet-of-things applications is presented. In order to simultaneously provide wideband input matching characteristics, low-noi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/35960d28406a4a5dac071618703d4a8d
Publikováno v:
Emerging Zoonotic and Wildlife Pathogens : Disease Ecology, Epidemiology, and Conservation, 2023, ill.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/oso/9780198825920.003.0003
Autor:
Jebamalar Leavline, Sugantha A.
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 5, Iss , Pp 100065- (2023)
Sense amplifiers (SA) play a vital role in supporting the read performance of static random-access memory (SRAM). Single ended SRAM has attracted importance due to low leakage current and absence of time margin compared to differential SA. This paper
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d13ae6247de4024b60973a070c1ff2c
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 89277-89289 (2023)
SiC power devices are used for medium-voltage (MV) motor drive and traction applications due to their higher temperature operation, switching frequencies, and higher efficiencies than Si-based devices. This article investigates three 3.3 kV reverse b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/801c10136d414881a55930e01dd69d8d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Frontiers in Neuroscience, Vol 17 (2023)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/153ae4c1fa49465884cba9ec1e9e1fe4
Publikováno v:
Informacije MIDEM, Vol 52, Iss 1, Pp 41-49 (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d88b2555a6a4220a35b4494c5eb5f90
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 114118-114134 (2022)
Due to the extremely fast switching speed of the SiC MOSFET, its crosstalk issue is more serious than that of the Si IGBT. Therefore, in order to ensure the reliability of the SiC MOSFET converters, the crosstalk problem must be solved firstly. Most
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cba4cc4bf1244a2a485af5f686c74ea