Zobrazeno 1 - 10
of 339
pro vyhledávání: '"Collin Stéphane"'
Autor:
Collin, Stéphane, Giteau, Maxime
We address the question of the optimal broadband absorption of waves in an open, dissipative system. We develop a general framework for absorption induced by multiple overlapping resonances, based on quasi-normal modes and radiative and non-radiative
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.19559
Autor:
Jebali, Fadi, Majumdar, Atreya, Turck, Clément, Harabi, Kamel-Eddine, Faye, Mathieu-Coumba, Muhr, Eloi, Walder, Jean-Pierre, Bilousov, Oleksandr, Michaud, Amadeo, Vianello, Elisa, Hirtzlin, Tifenn, Andrieu, François, Bocquet, Marc, Collin, Stéphane, Querlioz, Damien, Portal, Jean-Michel
Memristor-based neural networks provide an exceptional energy-efficient platform for artificial intelligence (AI), presenting the possibility of self-powered operation when paired with energy harvesters. However, most memristor-based networks rely on
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.12875
Autor:
Macías, Carlos, Cavanna, Antonella, Madouri, Ali, Béchu, Solène, Collin, Stéphane, Harmand, Jean-Christophe, Cattoni, Andrea, Delamarre, Amaury
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 December 2024 676
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Hung-Ling, De Lépinau, Romaric, Scaccabarozzi, Andrea, Oehler, Fabrice, Harmand, Jean-Christophe, Cattoni, Andrea, Collin, Stéphane
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 15, 024007 (2021)
Precise control of doping in single nanowires (NWs) is essential for the development of NW-based devices. Here, we investigate a series of MBE-grown GaAs NWs with Be (p-type) and Si (n-type) doping using high-resolution cathodoluminescence (CL) mappi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.05602
Autor:
Chen, Hung-Ling, Scaccabarozzi, Andrea, De Lépinau, Romaric, Oehler, Fabrice, Lemaître, Aristide, Harmand, Jean-Christophe, Cattoni, Andrea, Collin, Stéphane
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 15, 024006 (2021)
Doping is a fundamental property of semiconductors and constitutes the basis of modern microelectronic and optoelectronic devices. Their miniaturization requires contactless characterization of doping with nanometer scale resolution. Here, we use low
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.05598
Autor:
Henck, Hugo, Aziza, Zeineb Ben, Zill, Olivia, Pierucci, Debora, Naylor, Carl H., Silly, Mathieu G., Gogneau, Noelle, Oehler, Fabrice, Collin, Stephane, Brault, Julien, Sirotti, Fausto, Bertran, François, Fèvre, Patrick Le, Berciaud, Stéphane, Johnson, A. T Charlie, Lhuillier, Emmanuel, Rault, Julien E., Ouerghi, Abdelkarim
Publikováno v:
Physical Review B 96, 115312 (2017)
Hybrid heterostructures based on bulk GaN and two-dimensional (2D) materials offer novel paths toward nanoelectronic devices with engineered features. Here, we study the electronic properties of a mixed-dimensional heterostructure composed of intrins
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.03056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krachmalnicoff, Valentina, Cao, Da, Cazé, Alexandre, Castanié, Etienne, Pierrat, Romain, Bardou, Nathalie, Collin, Stéphane, Carminati, Rémi, De Wilde, Yannick
We report on the experimental and theoretical study of the spatial fluctuations of the local density of states (EM-LDOS) and of the fluorescence intensity in the near-field of a gold nanoantenna. EM-LDOS, fluorescence intensity and topography maps ar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1301.2560