Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Colaux, J."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Debarsy, P-L., Baseil, L., Stasser, C., Tabarrant, T., Colaux, J. L., Heuskin, A.-C., Terwagne, G.
Publikováno v:
AIP Advances; Dec2023, Vol. 13 Issue 12, p1-12, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michiels, M, Hemberg, A, Godfroid, T, Douheret, O, Colaux, J L, Moskovkin, P, Lucas, S, Caillard, A, Thomann, A-L, Laha, P, Terryn, H, Voué, M, Panepinto, A, Snyders, R, Konstantinidis, S
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics; 10/14/2021, Vol. 54 Issue 41, p1-13, 13p
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry 2003 68(3):605-608
Autor:
Colaux, J, Terwagne, G
Publikováno v:
In Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 2003 133(1):17-25
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 2003 174:383-388
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2000 377:441-446
Electrical properties of amorphous chalcogenide/silicon heterojunctions modified by ion implantation
Autor:
Federenko, Y., Hughes, M.A., Colaux, J., Jeynes, C., Gwilliam, R.M., Homewood, K., Yao, J., Hewak, D.W., Lee, T.H., Elliott, S.R., Gholipour, B., Curry, R.J.
Doping of amorphous chalcogenide films of rather dissimilar bonding type and resistivity, namely, Ga-La-S, GeTe, and Ge-Sb-Te by means of ion implantation of bismuth is considered. To characterize defects induced by ion-beam implantation space-charge
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______348::c09b1e964b78a76a976a49568c6b98f2
https://eprints.soton.ac.uk/363255/
https://eprints.soton.ac.uk/363255/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.