Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Coignus, Jean"'
Autor:
Covi, Erika, Duong, Quang T., Lancaster, Suzanne, Havel, Viktor, Coignus, Jean, Barbot, Justine, Richter, Ole, Klein, Philip, Chicca, Elisabetta, Grenouillet, Laurent, Dimoulas, Athanasios, Mikolajick, Thomas, Slesazeck, Stefan
Publikováno v:
2021 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2021, pp. 1-5
Ferroelectric tunneling junctions (FTJ) are considered to be the intrinsically most energy efficient memristors. In this work, specific electrical features of ferroelectric hafnium-zirconium oxide based FTJ devices are investigated. Moreover, the imp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.01853
Autor:
Coignus, Jean
A partir du noeud technologique 45 nm, le remplacement de l'oxyde de grille SiO2 par un diélectrique high-κ est nécessaire pour poursuivre la loi de Moore : l'introduction d'un tel matériau permet de maintenir une capacité de grille élevée tou
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Torrente, Giulio, Coignus, Jean, Vernhet, Alexandre, Ogier, Jean-Luc, Roy, David, Ghibaudo, Gérard
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2017 79:281-287
Autor:
Dobri, Adam, Jeannot, Simon, Piazza, Fausto, Jahan, Carine, Coignus, Jean, Perniola, Luca, Balestra, Francis
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2017 69:47-51
Autor:
Torrente, Giulio, Coignus, Jean, Renard, Sophie, Vernhet, Alexandre, Reimbold, Gilles, Roy, David, Ghibaudo, Gerard
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1417-1421
Autor:
Lachaume, Raphaël, Favre, Wilfried, Scheiblin, Pascal, Garros, Xavier, Nguyen, Nathalie, Coignus, Jean, Munoz, Delfina, Reimbold, Gilles
Publikováno v:
In Energy Procedia 2013 38:770-776
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dobri, Adam, Jeannot, Simon, Piazza, Fausto, Jahan, Carine, Coignus, Jean, Perniola, Luca, Balestra, Francis
Publikováno v:
2015 SISC Book of Abstracts
46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), IEEE, Dec 2015, Arlington, United States. pp.12.15
46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), IEEE, Dec 2015, Arlington, United States. pp.12.15
session poster; International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::10556a5577703daf224d6979e352a917
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02015384
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02015384
Autor:
Coignus, Jean
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2010. Français
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩
Since 45nm node, the replacement of conventional SiO2 oxide by a high-permittivity dielectric has become mandatory to continue Moore's law : such material enables to keep high gate capacitance values while reducing gate leakage current. However, a co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ac8ecae324dd435a0d25a10e2e5c039d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557752
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557752