Zobrazeno 1 - 10
of 128
pro vyhledávání: '"Coignus, J"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Barbot, J., Fontanini, R., Segatto, M., Coignus, J., Triozon, F., Carabasse, C., Bedjaoui, M., Andrieu, F., Esseni, D., Grenouillet, L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/7/2023, Vol. 134 Issue 21, p1-10, 10p
Autor:
Laguerre, J., Bocquet, Marc, Billoint, O., Martin, S., Coignus, J., Carabasse, C., Magis, T., Dewolf, T., Andrieu, F., Grenouillet, L.
Publikováno v:
IMW 2023-2023 IEEE International Memory Workshop
IMW 2023-2023 IEEE International Memory Workshop, IEEE, May 2023, Monterey (CA), United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW56887.2023.10145972⟩
IMW 2023-2023 IEEE International Memory Workshop, IEEE, May 2023, Monterey (CA), United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW56887.2023.10145972⟩
International audience; The Memory Window (MW) of BEOL-integrated Si:HfO 2-based 16kbit 1T1C FeRAM arrays is shown to be significantly improved (×3) by etching the ferroelectric (FE) film of the Ferroelectric CAPacitor (FeCAP). To estimate the MW ev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4deb07b3b5c62743794bbac0d0551285
https://hal.science/hal-04130967
https://hal.science/hal-04130967
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells August 2013 115:129-137
Autor:
Francois, T., Coignus, J., Makosiej, A., Giraud, B., Carabasse, C., Barbot, J., Martin, S., Castellani, N., Magis, T., Grampeix, H., van Duijn, S., Mounet, C., Chiquet, P., Schroeder, U., Slesazeck, S., Mikolajick, T., Nowak, E., Bocquet, Marc, Barrett, N., Andrieu, F., Grenouillet, L.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, pp.1-7. ⟨10.1109/TED.2021.3138360⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, pp.1-7. ⟨10.1109/TED.2021.3138360⟩
International audience; 16kbit 1T-1C FeRAM arrays are demonstrated at 130nm node with TiN/HfO2:Si/TiN ferroelectric capacitors integrated in the Back-End-of-Line (BEOL). 0 state and 1 state distributions measured on the arrays demonstrate perfect yie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::741ad4caacdd64bceb9f3b9ad0c5e3b9
https://hal.science/hal-03596923/document
https://hal.science/hal-03596923/document
Publikováno v:
In Energy Procedia 2011 8:174-179
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.