Zobrazeno 1 - 10
of 351
pro vyhledávání: '"Cmos soi"'
Autor:
Christian Sbrana, Alessandro Catania, Maksym Paliy, Stefano Di Pascoli, Sebastiano Strangio, Massimo Macucci, Giuseppe Iannaccone
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 57236-57249 (2024)
In this paper, we discuss the challenges at the device and circuit level that must be addressed to design reliable silicon CMOS integrated circuits operating in high-temperature environments. We present experimental results on representative devices
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47571f60229c4562bf2b9a398f2ba427
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Christos Adamopoulos, Panagiotis Zarkos, Sidney Buchbinder, Pavan Bhargava, Ali Niknejad, Mekhail Anwar, Vladimir Stojanovic
Publikováno v:
IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits Society, Vol 1, Pp 198-208 (2021)
The recent pandemic has shown that accurate and on-demand information on various infections requires highly versatile, Point-of-Care (PoC) platforms providing diagnostic and prognostic multiparametric information, personalized to each patient. Despit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d81a38e7e1c344518937f1f0de16bf64
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 15, p 6708 (2021)
This paper presents a fully integrated, four-stack, single-ended, single stage power amplifier (PA) for millimeter-wave (mmWave) wireless applications that was fabricated and designed using 45 nm complementary metal oxide semiconductor silicon on ins
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72efbdfefd534761a19629b0e9158acc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 11, Iss 6, p 587 (2020)
This is a second part of the paper presenting a miniature, combustion-type gas sensor (dubbed GMOS) based on a novel thermal sensor (dubbed TMOS). The TMOS is a micromachined CMOS-SOI transistor, which acts as the sensing element and is integrated wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e361aed1472640d99b62234b1279d5f0