Zobrazeno 1 - 10
of 197
pro vyhledávání: '"Cmos chip"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 78040-78057 (2024)
This study presents the design and application of a cascaded voltage-mode (VM) first-order all-pass filter (APF) integrated circuit (IC) based on a positive differential current conveyor (DDCC+). The proposed single- and differential-input VM-APF use
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bc4d0c8507db43f6ab43821ad58b4bb5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Byoung-Uk Sohn, Dawn T. H. Tan, Ezgi Sahin, Doris K. T. Ng, George F. R. Chen, Benjamin J. Eggleton, Peng Xing, Ju Won Choi
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 10, Iss 13, Pp 3507-3518 (2021)
We demonstrate a complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS)-compatible optical parametric Bragg amplifier on an ultra-silicon-rich nitride chip. The amplifier design incorporates advantageous group index properties in a nonlinear Bragg gratin
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 68:5381-5394
Integrated true-time-delay (TTD) cells for RF frequencies are usually large and have high relative delay variation. Here, the $N$ -path TTD topology is explored, where the signal is undersampled with a number of parallel S/H circuits and reconstructe
Autor:
Nikolay D. Kravchenko, Alexander I. Chumakov, Dmitry O. Titovets, D. V. Bobrovsky, Andrey B. Karakozov
Publikováno v:
Bezopasnostʹ Informacionnyh Tehnologij, Vol 27, Iss 3, Pp 89-97 (2020)
The development of the technological process in electronics has led to the problem of single event upsets (SEU) in microchips when exposed to neutrons causing loss of information and errors. To evaluate sensitivity of CMOS VLSI to SEU caused by neutr
Autor:
Carl W. Fuller, Pius S. Padayatti, Hadi Abderrahim, Lisa Adamiak, Nolan Alagar, Nagaraj Ananthapadmanabhan, Jihye Baek, Sarat Chinni, Chulmin Choi, Kevin J. Delaney, Rich Dubielzig, Julie Frkanec, Chris Garcia, Calvin Gardner, Daniel Gebhardt, Tim Geiser, Zachariah Gutierrez, Drew A. Hall, Andrew P. Hodges, Guangyuan Hou, Sonal Jain, Teresa Jones, Raymond Lobaton, Zsolt Majzik, Allen Marte, Prateek Mohan, Paul Mola, Paul Mudondo, James Mullinix, Thuan Nguyen, Frederick Ollinger, Sarah Orr, Yuxuan Ouyang, Paul Pan, Namseok Park, David Porras, Keshav Prabhu, Cassandra Reese, Travers Ruel, Trevor Sauerbrey, Jaymie R. Sawyer, Prem Sinha, Jacky Tu, A. G. Venkatesh, Sushmitha VijayKumar, Le Zheng, Sungho Jin, James M. Tour, George M. Church, Paul W. Mola, Barry Merriman
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, vol 119, iss 5
For nearly 50 years, the vision of using single molecules in circuits has been seen as providing the ultimate miniaturization of electronic chips. An advanced example of such a molecular electronics chip is presented here, with the important distinct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0c91da34d4c298016e1520dfb4a7296e
https://escholarship.org/uc/item/2fd555bh
https://escholarship.org/uc/item/2fd555bh