Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"Clement, J.J."'
Autor:
Wei, F., Hau-Riege, S.P., Gan, C.L., Thompson, Carl V., Clement, J.J., Tay, H.L., Yu, B., Radhakrishnan, M.K., Pey, Kin Leong, Choi, Wee Kiong
The effects of interconnect length on the reliability of dual-damascene Cu metallization have been investigated. As in Al-based interconnects, the lifetimes of Cu lines increase with decreasing length. However, unlike Al-based interconnects, no criti
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1721.1/3977
Autor:
Clement, J.J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/15/1997, Vol. 82 Issue 12, p5991, 10p, 2 Diagrams, 12 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Enver, A., Clement, J.J.
Publikováno v:
Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection; 1990, p149-156, 8p
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE International Reliability Physics Symposium; 1994, p213-224, 12p
Autor:
Clement, J.J.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device & Materials Reliability; Mar2001, Vol. 1 Issue 1, p33-42, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 1996, Vol. 17 Issue 5, p244-246, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.