Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Clausen, Caterina J."'
Autor:
Elogail, Yasmine, Berkmann, Fritz, Clausen, Caterina J., Fischer, Inga A., Hänel, Linda A., Schwarz, Daniel, Schulze, Jörg
Publikováno v:
In Microelectronics Journal May 2022 123
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza L., Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph T., Clausen, Caterina J., Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3668::2493038ffca4f08f637b582a035c2a39
https://hdl.handle.net/11590/385498
https://hdl.handle.net/11590/385498
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza L., Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph T., Clausen, Caterina J., Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
Publikováno v:
Investigo. Repositorio Institucional de la Universidade de Vigo
Universidade de Vigo (UVigo)
Universidade de Vigo (UVigo)
We examine the Raman shift in silicon–germanium–tin alloys with high silicon content grown on a germanium virtual substrate by molecular beam epitaxy. The Raman shifts of the three most prominent modes, Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge, are measured
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::655cf17d101079e20a9ae68c185ed194
Wiley Online Library
Wiley Online Library
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza L., Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph T., Clausen, Caterina J., Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
Publikováno v:
Journal of Raman Spectroscopy; Jun2021, Vol. 52 Issue 6, p1167-1175, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Inga A. Fischer, Torsten Wendav, D. Schwarz, Sebastian Koelling, Jörg Schulze, PM Paul Koenraad, Stefan Birner, Caterina J. Clausen, Christoph Koch, Giovanni Capellini, Kurt Busch, Michele Virgilio, Peter Zaumseil, Maria Cecilia da Silva Figueira, Michael R. S. Huang
Publikováno v:
Physical Review Materials, 4(2):024601. American Physical Society
While GeSn alloys with high Sn content constitute direct group-IV semiconductors, their growth on Si remains challenging. The deposition of a few monolayers of pure Sn on Ge and their overgrowth with Ge using molecular beam epitaxy can be a means of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1282c497e7150c27c6fbfa7f93d638f4
https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.4.024601
https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.4.024601