Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Clausen, Caterina"'
Autor:
Elogail, Yasmine, Berkmann, Fritz, Clausen, Caterina J., Fischer, Inga A., Hänel, Linda A., Schwarz, Daniel, Schulze, Jörg
Publikováno v:
In Microelectronics Journal May 2022 123
Conformational changes of individual fluorescently labeled proteins can be followed in solution using a confocal microscope. Two fluorophores attached to selected domains of the protein report fluctuating conformations. Based on F\"orster resonance e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1301.7254
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza L., Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph T., Clausen, Caterina J., Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3668::2493038ffca4f08f637b582a035c2a39
https://hdl.handle.net/11590/385498
https://hdl.handle.net/11590/385498
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza Lucia, Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph, Clausen, Caterina, Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
We examine the Raman shift in silicon–germanium–tin alloys with high silicon content grown on a germanium virtual substrate by molecular beam epitaxy. The Raman shifts of the three most prominent modes, Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge, are measured
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3cbc58b5a03e2d37afa6b4ae1e0054f1
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza L., Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph T., Clausen, Caterina J., Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
Publikováno v:
Investigo. Repositorio Institucional de la Universidade de Vigo
Universidade de Vigo (UVigo)
Universidade de Vigo (UVigo)
We examine the Raman shift in silicon–germanium–tin alloys with high silicon content grown on a germanium virtual substrate by molecular beam epitaxy. The Raman shifts of the three most prominent modes, Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge, are measured
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::655cf17d101079e20a9ae68c185ed194
Wiley Online Library
Wiley Online Library
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schlipf, Jon, Tetzner, Henriette, Spirito, Davide, Manganelli, Costanza L., Capellini, Giovanni, Huang, Michael R. S., Koch, Christoph T., Clausen, Caterina J., Elsayed, Ahmed, Oehme, Michael, Chiussi, Stefano, Schulze, Jörg, Fischer, Inga A.
Publikováno v:
Journal of Raman Spectroscopy; Jun2021, Vol. 52 Issue 6, p1167-1175, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.