Zobrazeno 1 - 10 of 19 pro vyhledávání: '"Claudel, Arnaud"'
1
Report
Ultrathin, flexible and MRI-compatible microelectrode array for chronic single units recording within subcortical layers
Autor: Greenhorn, Scott, Coizet, Véronique, Dupuit, Victor, Fernandez, Bruno, Bres, Guillaume, Claudel, Arnaud, Gasner, Pierre, Warnking, Jan M., Barbier, Emmanuel L., Delacour, Cécile
Current techniques of neuroimaging, including electrical devices, are either of low spatiotemporal resolution or invasive, impeding multiscale monitoring of brain activity at both single cell and network levels. Overcoming this issue is of great impo
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2402.04389
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
Graphene field-effect transistors for sensing ion-channel coupled receptors: towards biohybrid nanoelectronics for chemical detection
Autor: Terral, Océane, Audic, Guillaume, Claudel, Arnaud, Magnat, Justine, Dupont, Aurélie, Moreau, Christophe J., Delacour, Cécile
Graphene field effect transistors (G-FETs) have appeared as suitable candidates for sensing charges and have thus attracted large interest for ion and chemical detections. In particular, their high sensitivity, chemical robustness, transparency and b
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2402.04378
Zobrazit plný text záznamu
3
Dissertation/ Thesis
ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES DE NITRURE D'ALUMINIUM AlN PAR CVD HAUTE TEMPERATURE EN CHIMIE CHLOREE
Autor: Claudel, Arnaud
En optoélectronique, l'avènement des technologies basées sur les nitrures du groupe III permettront une diminution de la consommation d'électricité dédiée à l'éclairage. Le nitrure d'aluminium, AlN, est particulièrement attractif pour la fa
Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557644
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/55/76/44/PDF/ThA_se_A._Claudel_2009.pdf
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ALUMINUM NITRIDE AlN LAYERS BY HIGH TEMPERATURE CHLORIDE CVD
Autor: Claudel, Arnaud
Publikováno v: Génie des procédés. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2009. Français
Matériaux. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2009. Français
In optoelectronics, group III nitride semiconductors technologies will allow to reduce the electrical energy required for lighting. Aluminum nitride, AlN, is a very attractive substrate for UV LEDs manufacturing. The goal of this PhD thesis is to stu
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0548547e7c8efb17874649e0eacaaf23
https://theses.hal.science/tel-00523292
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje