Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Class AB technique"'
Publikováno v:
Songklanakarin Journal of Science and Technology (SJST), Vol 29, Iss 1, Pp 165-180 (2007)
A low-power low-error single-ended virtually-grounded-drain class AB switched-current memory cell is presented. The proposed circuit is relatively simple, based on a basic class AB SI memory cell and a levelshiftedgrounded-gate amplifier. No large di
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eba0c63b100342d3b6200fb6cebe4508
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.