Zobrazeno 1 - 10
of 107
pro vyhledávání: '"Cismaru C"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/1/2002, Vol. 91 Issue 3, p1242, 5p, 4 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs
Autor:
Cismaru, C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/15/2000, Vol. 88 Issue 4, p1742, 5p, 3 Diagrams, 4 Graphs
Autor:
Cismaru Cosmin-Andrei, Chira Sergiu, Cismaru Gabriel-Laurentiu, Nutu Andreea-Mihaela, Netea Mihai-Gheorghe, Berindan-Neagoe Ioana
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2022)
Abstract A variety of medical procedures are classified as aerosol generating. However there is no consensus on whether some procedures such as nasopharyngeal swabbing can generate aerosols. During specimen collection, the contact of the nasopharynge
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4d996e9495b44d78a8a25a7dfb6a6f21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Rehder, E. M. ; Cismaru, C. ; Zampardi, P. J. ; Welser, R. E. (2005) Novel base doping profile for improved speed and power. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.
We have experimentally studied the effect of twonewbase doping profiles on the base transit time of a GaAs npn heterojunction bipolar transistor. The doping in a region close to the collector is reduced either by a doping grade or a stepwise reductio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d433cc031dcb5a98c1101cc070a81996
http://amsacta.unibo.it/1327/
http://amsacta.unibo.it/1327/