Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

In situ electrical characterization of dielectric thin films directly exposed to plasma vacuum-ultraviolet radiation.

Autor: Cismaru, C.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/2000, Vol. 88 Issue 4, p1742, 5p, 3 Diagrams, 4 Graphs

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Novel base doping profile for improved speed and power

Autor: Rehder, E. M., Cismaru, C., Zampardi, P. J., Welser, R. E.

Publikováno v: Rehder, E. M. ; Cismaru, C. ; Zampardi, P. J. ; Welser, R. E. (2005) Novel base doping profile for improved speed and power. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.

We have experimentally studied the effect of twonewbase doping profiles on the base transit time of a GaAs npn heterojunction bipolar transistor. The doping in a region close to the collector is reduced either by a doping grade or a stepwise reductio

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d433cc031dcb5a98c1101cc070a81996
http://amsacta.unibo.it/1327/