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Publikováno v:
Repositório Institucional do FGVFundação Getulio VargasFGV.
Made available in DSpace on 2010-04-20T20:19:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 176515.pdf: 2244008 bytes, checksum: ff4f5b8c1dcee35b9c4847a909ae8247 (MD5) Previous issue date: 2007-12-03T00:00:00Z
Este trabalho tem como objetivo comparar a eficiê
Este trabalho tem como objetivo comparar a eficiê
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10438/5504
Autor:
Cima, Carlos Alberto
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Foi estudada a produção de danos cristalográficos em silício por implantação de íons de oxigênio empregando-se doses na faixa de 1 x 1016 cm-2 a 4x 1017 cm-2, energias entre 90 keV e 240 keV e temperaturas do substrato entre 25°C e 600°C.
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/140667