Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Ciechonski, Rafal"'
Autor:
Ciechonski, Rafal
At present, focus of the SiC crystal growth development is on improving the crystalline quality without polytype inclusions, micropipes and the occurrence of extended defects. The purity of the grown material, as well as intentional doping must be we
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-10314
Autor:
Ciechonski, Rafal R.
Publikováno v:
Sammanfattning och ramberättelse från Linköping University Electronic Press.
Diss. Linköping : Linköpings universitet, 2007.
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-10314
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Delgado Carrascon, Rosalia, Tran, Dat Quoc, Sukkaew, Pitsiri, Mock, Alyssa, Ciechonski, Rafal, Ohlsson, Jonas, Zhu, Yadan, Hultin, Olof, Monemar, Bo, Paskov, Plamen P., Samuelson, Lars, Darakchieva, Vanya
Publikováno v:
Physica Status Solidi (B); Apr2020, Vol. 257 Issue 4, p1-5, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; October 2005, Vol. 202 Issue: 13 p2508-2514, 7p