Zobrazeno 1 - 10
of 256
pro vyhledávání: '"Chulkov, Evgueni V."'
Autor:
De Luca, Oreste, Shvets, Igor A., Eremeev, Sergey V., Aliev, Ziya S., Kopciuszynski, Marek, Barinov, Alexey, Ronci, Fabio, Colonna, Stefano, Chulkov, Evgueni V., Agostino, Raffaele G., Papagno, Marco, Flammini, Roberto
The puzzling question about the floating of the topological surface state on top of a thick Pb layer, has now possibly been answered. A study of the interface made by Pb on Bi2Se3 for different temperature and adsorbate coverage condition, allowed us
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.13316
Autor:
Bosnar, Mihovil, Vyazovskaya, Alexandra Yu., Petrov, Evgeniy K., Chulkov, Evgueni V., Otrokov, Mikhail M.
Chern insulators are two-dimensional magnetic topological materials that conduct electricity along their edges via the one-dimensional chiral modes. The number of these modes is a topological invariant called the first Chern number $C$, that defines
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.13457
Autor:
Krieger, Jonas A., Tay, Daniel, Rusinov, Igor P., Barua, Sourabh, Biswas, Pabitra K., Korosec, Lukas, Prokscha, Thomas, Schmitt, Thorsten, Schröter, Niels B. M., Shang, Tian, Shiroka, Toni, Suter, Andreas, Balakrishnan, Geetha, Chulkov, Evgueni V., Strocov, Vladimir N., Salman, Zaher
Publikováno v:
Phys. Rev. Materials 7, 044414 (2023)
Layered transition-metal dichalcogenides are proposed as building blocks for van der Waals (vdW) heterostructures due to their graphene-like two dimensional structure. For this purpose, a magnetic semiconductor could represent an invaluable component
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.03051
Autor:
Kratzer, Peter, Rettig, Laurenz, Sklyadneva, Irina Yu., Chulkov, Evgueni V., Bovensiepen, Uwe
Publikováno v:
Phys. Rev. Research 4 033218 (2022)
The equilibration of electronic carriers in metals after excitation by an ultra-short laser pulse provides an important class of non-equilibrium phenomena in metals and allows measuring the effective electron-phonon coupling parameter. Since the obse
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.04958
Autor:
Petrov, Evgeniy K., Men'shov, Vladimir N., Rusinov, Igor P., Hoffmann, Martin, Ernst, Arthur, Otrokov, Mikhail M., Dugaev, Vitalii K., Menshchikova, Tatiana V., Chulkov, Evgueni V.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 103, 235142 (2021)
A flat band in fermionic system is a dispersionless single-particle state with a diverging effective mass and nearly zero group velocity. These flat bands are expected to support exotic properties in the ground state, which might be important for a w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.06433
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Haubold, Erik, Fedorov, Alexander, Rusinov, Igor P., Menshchikova, Tatiana V., Duppel, Viola, Friedrich, Daniel, Pielnhofer, Florian, Weihrich, Richard, Pfitzner, Arno, Zeugner, Alexander, Isaeva, Anna, Thirupathaiah, Setti, Kushnirenko, Yevhen, Rienks, Emile, Kim, Timur, Chulkov, Evgueni V., Büchner, Bernd, Borisenko, Sergey V.
Publikováno v:
APL Materials 7, 121106 (2019)
We report experimental and theoretical evidence that GaGeTe is a basic $Z_2$ topological semimetal with three types of charge carriers: bulk-originated electrons and holes as well as surface state electrons. This electronic situation is qualitatively
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.01668
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Otrokov, Mikhail M., Rusinov, Igor P., Blanco-Rey, María, Hoffmann, Martin, Vyazovskaya, Alexandra Yu., Eremeev, Sergey V., Ernst, Arthur, Echenique, Pedro M., Arnau, Andrés, Chulkov, Evgueni V.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 122, 107202 (2019)
Using density functional theory and Monte Carlo calculations, we study the thickness dependence of the magnetic and electronic properties of a van der Waals interlayer antiferromagnet in the two-dimensional limit. Considering $\mathrm{MnBi_2Te_4}$ as
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.05289