Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"Chucheva G. V."'
Autor:
Zyablyuk K. N., Mityagin A. Yu., Talipov N. H., Chucheva G. V., Duhnovskii M. P., Khmel’nitskii R. A.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 5, Pp 39-43 (2012)
The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Para
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bc2b811050a41a79b3ad40cc6bbf314
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 6, Pp 13-19 (2011)
In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hyd
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f16621730fae463181ec4aafcd74bca5
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 3, Pp 3-6 (2010)
The article describes the principles of creation of a broadband miniature SHF-range signal delay line based on ferroelectrics and diamond films. The parameters of obtained ferroelectrics and diamond films have been given. The possible design of the d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d7a1bbef967450aade982312f31fb26
Autor:
Altukhov A. A., Afanas’ev M. S., Zyabliuk K. N., Mityagin A. Yu., Talipov N. H., Chucheva G. V.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 5, Pp 14-16 (2011)
A method is proposed for the hydrogen heat treatment of natural and CVD-diamond crystals, which can serve as an alternative to conventional method of forming H-layer in microwave plasma of hydrogen as a simpler one and more reproducible. The boundari
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b8ce8ab66c6545f3bb560f60203a5480
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 3, Pp 3-5 (2011)
A new approach to the creation of a long-term random-access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9d195c9b1f634662960b58b2664afd4b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kiselev, D. A., Kurteva, E. A., Semchenko, A. V., Boiko, A. A., Sudnik, L. V., Chucheva, G. V.
Publikováno v:
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; May2024, Vol. 88 Issue 5, p704-708, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.