Zobrazeno 1 - 10
of 645
pro vyhledávání: '"Chua, S. J."'
Autor:
Zhou, W. X., Wu, H. J., Zhou, J., Zeng, S. W., Li, C. J., Li, M. S., Guo, R., Xiao, J. X., Huang, Z., Lv, W. M., Han, K., Yang, P., Li, C. G., Lim, Z. S., Wang, H., Zhang, Y., Chua, S. J., Zeng, K. Y., Venkatesan, T., Chen, J. S., Feng, Y. P., Pennycook, S. J., Ariando, A.
Publikováno v:
Commun. Phys. 2, 125 (2019)
Integrating multiple properties in a single system is crucial for the continuous developments in electronic devices. However, some physical properties are mutually exclusive in nature. Here, we report the coexistence of two seemingly mutually exclusi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.05903
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Mathematics is an essential ingredient in the training of those seeking careers in science and engineering. No matter what the specialization, it is absolutely essential for scientists, physicists and engineers to not only develop an understanding of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ansah Antwi, K. K., Soh, C. B., Wee, Q., Tan, Rayson J. N., Yang, P., Tan, H. R., Sun, L. F., Shen, Z. X., Chua, S. J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2013, Vol. 114 Issue 24, p243512, 9p, 4 Diagrams, 2 Graphs
Autor:
Nguyen, X. S., Yadav, S., Lee, K. H., David Kohen, Kumar, A., Made, R. I., Gong, X., Lee, K. E., Tan, C. S., Yoon, S. F., Fitzgerald, E., Chua, S. J.
Publikováno v:
Other repository
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
We report on the growth of In 0.30 Ga 0.70 As channel high-electron mobility transistor (HEMT) epi-layers on a 200 mm silicon wafer by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The device epi-layers were grown on a silicon substrate by using a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c052aa438fe01173f30775d717e6cdce
https://orcid.org/0000-0002-1891-1959
https://orcid.org/0000-0002-1891-1959
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2000 363(1):98-101
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Sep2011, Vol. 110 Issue 6, p063505, 6p