Zobrazeno 1 - 10
of 1 047
pro vyhledávání: '"Chua, L."'
Autor:
James, A. P., Chua, L. O.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers, 2021 (Special Issue for 50th Birthday of Memristor)
Memristor crossbar arrays are used in a wide range of in-memory and neuromorphic computing applications. However, memristor devices suffer from non-idealities that result in the variability of conductive states, making programming them to a desired a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.04614
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Bifurcation and Chaos, 27(12), 2017, art. num. 1730038
Recently it was shown that in the dynamical model of Chua circuit both the classical selfexcited and hidden chaotic attractors can be found. In this paper the dynamics of the Chua circuit is revisited. The scenario of the chaotic dynamics development
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.02677
Autor:
Sheikh, J., Swee, T. T., Saidin, S., Malik, S. A., Chua, L. S., Thye, M. T. F., Meng, L. K., Kun, M.
Publikováno v:
International Journal of Environmental Science & Technology (IJEST); Aug2024, Vol. 21 Issue 12, p8261-8296, 36p
Autor:
Chua, L. C. L.
The last few decades have seen the rise of a worldwide ‘culture phenomenon’, in which the concept of ‘culture’ has become a ubiquitous means of asserting collective distinctiveness and difference. This tendency has been especially pronounced
Externí odkaz:
http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.597678
Autor:
Chua, L.-L.
In this thesis, we demonstrated that divinyltetramethyldisiloxane-benzocyclobutene (BCB), which has previously been used as an isolation dielectric in III-IV semiconductor devices, in fact makes an excellent gate dielectric material in OFETs after su
Externí odkaz:
http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.597679
Autor:
Schmitt, N., Ascoli, A., Messaris, I., Demirkol, A. S., Menzel, S., Rana, V., Tetzlaff, R., Chua, L. O.
Publikováno v:
Frontiers in Nanotechnology (2673-3013); 2024, p1-30, 30p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Song, M-K, Kang, J-H, Zhang, X, Ji, W, Ascoli, A, Messaris, I, Demirkol, AS, Dong, B, Aggarwal, S, Wan, W, Hong, S-M, Cardwell, SG, Boybat, I, Seo, J-S, Lee, J-S, Lanza, M, Yeon, H, Onen, M, Li, J, Yildiz, B, Del Alamo, JA, Kim, S, Choi, S, Milano, G, Ricciardi, C, Alff, L, Chai, Y, Wang, Z, Bhaskaran, H, Hersam, MC, Strukov, D, Wong, H-SP, Valov, I, Gao, B, Wu, H, Tetzlaff, R, Sebastian, A, Lu, W, Chua, L, Yang, JJ, Kim, J
Memristive technology has been rapidly emerging as a potential alternative to traditional CMOS technology, which is facing fundamental limitations in its development. Since oxide-based resistive switches were demonstrated as memristors in 2008, memri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1064::627c2ba0e5f65ec5673a7b8202d1793d
https://doi.org/10.1021/acsnano.3c03505
https://doi.org/10.1021/acsnano.3c03505